[發明專利]量子點的制備方法在審
| 申請號: | 201811156030.6 | 申請日: | 2018-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN110964501A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發明(設計)人: | 聶志文;楊一行 | 申請(專利權)人: | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/02 | 分類號: | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子 制備 方法 | ||
1.一種量子點的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供III族陽離子前驅體和配體,將所述III族陽離子前驅體和配體溶于溶劑中,在第一溫度條件下進行加熱處理,得到混合溶液;
將所述混合溶液繼續升溫至第二溫度,然后向所述混合溶液中加入V族陰離子前驅體,進行成核反應,得到III-V族量子點核溶液。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,將第一II族陽離子前驅體與所述III族陽離子前驅體和配體溶于溶劑中,在第一溫度條件下進行加熱處理。
3.如權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述成核反應完成后,即刻將第二II族陽離子前驅體和VI族陰離子前驅體加入所述III-V族量子點核溶液中,在第三溫度條件下進行外殼層生長,在III-V族量子點核表面形成II-VI族半導體外殼層,得到核殼量子點溶液。
4.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述III族陽離子前驅體選自氯化銦、溴化銦、碘化銦、醋酸銦、碳酸銦、硝酸銦、高氯酸銦、氰化銦、氯化鎵、溴化鎵、碘化鎵、碳酸鎵、硝酸鎵、高氯酸鎵、氰化鎵、氯化鋁、溴化鋁、碘化鋁、碳酸鋁、硝酸鋁、高氯酸鋁、氰化鋁、乙酰丙酮銦、醋酸鎵、乙酰丙酮鎵、醋酸鋁、乙酰丙酮鋁、異丙醇鋁、六氟乙酰丙酮銦、六氟乙酰丙酮鎵、異丙醇鋁、六氟乙酰丙酮鋁、氧化銦、氫氧化銦、氧化鎵、氫氧化鎵、氧化鋁和氫氧化鋁的至少一種;和/或
所述V族陰離子前驅體選自三(三甲硅烷基)膦,三(三甲鍺烷基)膦、三(二甲胺基)磷,三(二乙氨基)磷、三乙基膦、三丁基膦、三辛基膦、三苯基膦、三環己基膦、三(三甲硅烷基)砷、三(二甲胺基)砷,三(二乙氨基)砷、三乙基砷、三丁基砷、三辛基砷、三苯基砷、三環己基砷、氧化砷、氯化砷、溴化砷、碘化砷、硫化砷和氨氣中的至少一種;和/或
所述配體選自油酸、C4-C20飽和脂肪酸、被C6-C22烷基取代的膦、被C6-C22烷基取代的氧膦、C6-C22伯胺、C6-C22仲胺和C6-C40叔胺中的至少一種;和/或
所述溶劑選自C6-C40脂族烴、C6-C30芳族烴、含氮雜環化合物、C12-C22芳族醚中的至少一種。
5.如權利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第一II族陽離子前驅體選自氯化鋅、溴化鋅、碘化鋅、醋酸鋅、硬脂酸鋅、十一烯酸鋅、乙酰丙酮鋅、六氟乙酰丙酮鋅、氧化鋅、氫氧化鋅、碳酸鋅、硝酸鋅、高氯酸鋅、氰化鋅、氯化鎘、溴化鎘、碘化鎘、醋酸鎘、硬脂酸鎘、十一烯酸鎘、乙酰丙酮鎘、六氟乙酰丙酮鎘、氧化鎘、氫氧化鎘、碳酸鎘、硝酸鎘、高氯酸鎘、氰化鎘、氯化鎂、溴化鎂、碘化鎂、醋酸鎂、硬脂酸鎂、十一烯酸鎂、乙酰丙酮鎂、六氟乙酰丙酮鎂、氧化鎂、氫氧化鎂、碳酸鎂、硝酸鎂、高氯酸鎂、氰化鎂、氯化汞、溴化汞、碘化汞、醋酸汞、乙酰丙酮汞、氧化汞、氫氧化汞、碳酸汞、硝酸汞、高氯酸汞和氰化汞中的至少一種。
6.如權利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述第二II族陽離子前驅體選自油酸鎘、丁酸鎘、正葵酸鎘、己酸鎘、辛酸鎘、十二烷酸鎘、肉豆蔻酸鎘、棕櫚酸鎘、硬脂酸鎘、油酸汞、丁酸汞、正葵酸汞、己酸汞、辛酸汞、十二烷酸汞、肉豆蔻酸汞、棕櫚酸汞、硬脂酸汞、油酸鋅、丁酸鋅、正葵酸鋅、己酸鋅、辛酸鋅、十二烷酸鋅、肉豆蔻酸鋅、棕櫚酸鋅、硬脂酸鋅、油酸鎂、丁酸鎂、正葵酸鎂、己酸鎂、辛酸鎂、十二烷酸鎂、肉豆蔻酸鎂、棕櫚酸鎂和硬脂酸鎂中的至少一種;和/或
所述VI族陰離子前驅體選自己硫醇、辛硫醇、葵硫醇、十二烷基硫醇、十六烷基硫醇、巰基丙基硅烷、硫化三辛基膦、硫化三丁基膦、硫化三苯基膦、硫化三辛基胺、三(三甲基甲硅烷基)硫化物、硫化銨、硫化鈉、硒化三辛基膦、硒化三丁基膦、硒化三苯基膦、碲化三丁基膦、碲化三辛基膦和碲化三苯基膦中的至少一種。
7.如權利要求1-6任一項所述的制備方法,其特征在于,所述第一溫度為100-200℃;和/或
所述第一溫度條件下進行加熱處理的時間為1-2h。
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