[發(fā)明專利]離子注入方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811154466.1 | 申請日： | 2018-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN109300778B | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 伍菲菲;時鋒;袁立軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種離子注入方法，其特征在于，包括：將由硼的同位素10B和氟的同位素18F構(gòu)成的離子源氣體10B18F3作為離子注入機的離子源，離子注入機將同位素離子源氣體10B18F3離子化形成質(zhì)荷比為46的10B18F2+摻雜離子，使其與質(zhì)荷比為48的Mo2+的等效質(zhì)荷比的差值不小于1，調(diào)節(jié)分析磁場的勵磁電流為一電流，將BF2+摻雜離子分離于鉬金屬Mo2+，當摻雜離子注入到晶圓中時，不會帶來鉬金屬Mo2+污染。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
