[發明專利]用于形成圖像傳感器的方法及圖像傳感器

在審

• 申請號: 201811150266.9
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN109326619A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 吳明;吳孝哲;林宗賢;吳龍江;熊建鋒;薛超
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291
• 代理人: 楊楷;毛立群

1.一種用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：提供第一襯底、第二襯底以及位于兩者之間的至少兩個的感光層；

步驟S2：在第一襯底和與所述第一襯底相鄰的感光層之間形成第一隔離層，在相鄰兩個感光層之間以及第二襯底和與所述第二襯底相鄰的感光層之間均形成第二隔離層。

2.據權利要求1所述的用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，還包括步驟S3：形成隔離柵，所述隔離柵將每一所述感光層隔離成多個感光單元。

3.根據權利要求1或2所述的用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，步驟S2具體包括：

步驟S21：在第一襯底和與所述第一襯底相鄰的感光層之間形成第一偽隔離層，在相鄰兩個感光層之間以及第二襯底和與所述第二襯底相鄰的感光層之間形成第二偽隔離層；

步驟S22：選擇性地刻蝕去除第一偽隔離層以及第二偽隔離層；

步驟S23：在第一襯底和與所述第一襯底相鄰的感光層之間形成第一隔離層，在相鄰兩個感光層之間以及第二襯底和與所述第二襯底相鄰的感光層之間均形成第二隔離層。

4.根據權利要求3所述的用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，在步驟S21中，利用外延生長技術沉積第一偽隔離層、第二偽隔離層。

5.根據權利要求3所述的用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，在步驟S22中，采用濕法刻蝕工藝，刻蝕第一偽隔離層、第二偽隔離層。

6.根據權利要求5所述的用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，在步驟S22中，利用配比為：30-50％的HNO₃、0.8-1.2％的HF、1-3％的CH₃COOH、余量為H₂O的刻蝕液刻蝕第一偽隔離層、第二偽隔離層。

7.根據權利要求5或6所述的用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，在步驟S22中，對第二襯底、至少兩個的感光單元以及第一偽隔離層、第二偽隔離層進行刻蝕并形成刻蝕液槽，向刻蝕液槽內通入刻蝕液，以刻蝕去除第一偽隔離層、第二偽隔離層。

8.根據權利要求1、2、4-6中的任一項所述的用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，在步驟S2中，利用ALD工藝沉積第一隔離層、第二隔離層。

9.根據權利要求1、2、4-6中的任一項所述的用于形成圖像傳感器的方法，其特征在于，步驟S1具體包括：

步驟S11：提供第一襯底，在第一襯底上形成第一偽隔離層；

步驟S12：在第一偽隔離層上依次形成摻雜離子的導電類型不同的第一摻雜層、第二摻雜層以及第二偽隔離層；其中，所述導電類型不同是指所述第一摻雜層和所述第二摻雜層的摻雜離子的導電類型不同；

重復至少兩次步驟S12；

步驟S13：在位于頂層的第二偽隔離層上形成第二襯底。

10.一種圖像傳感器，其特征在于，包括第一襯底、第二襯底以及位于兩者之間的至少兩個的感光層，在第一襯底和與所述第一襯底相鄰的感光層之間形成第一隔離層，在相鄰兩個感光層之間以及第二襯底和與所述第二襯底相鄰的感光層之間均形成有第二隔離層，形成有隔離柵，所述隔離柵將所述感光層隔離成多個感光單元。