[發(fā)明專利]一種極片電阻電導(dǎo)率測(cè)試方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811150086.0
• 申請(qǐng)日: 2018-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN109358234A
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏旭濤;張興華;魏奕民;秦朝敏;王益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 元能科技（廈門）有限公司
• 主分類號(hào): G01R27/02
• 分類號(hào): G01R27/02
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35222
• 代理人: 楊玉芳

1.一種極片電阻電導(dǎo)率測(cè)試方法，其特征在于，包括：

S1:在待測(cè)極片電阻的同一位置下，采用N個(gè)不同正向壓強(qiáng)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，以獲得所述待測(cè)極片電阻在每個(gè)正向壓強(qiáng)參數(shù)下的測(cè)試電阻值趨于穩(wěn)定的N個(gè)第一相對(duì)時(shí)間；其中，對(duì)于每個(gè)正向壓強(qiáng)參數(shù)，每隔預(yù)定時(shí)間采集所述待測(cè)極片電阻的測(cè)試電阻值，并根據(jù)采集的多個(gè)測(cè)試電阻值獲得測(cè)試電阻值趨于穩(wěn)定的第一相對(duì)時(shí)間；

S2:將獲得的N個(gè)第一相對(duì)時(shí)間的最大值作為所述待測(cè)極片電阻共同趨于穩(wěn)定的第二相對(duì)時(shí)間；

S3:在同一位置，根據(jù)M個(gè)不同的正向壓強(qiáng)參數(shù)以及所述第二相對(duì)時(shí)間，采集所述待測(cè)極片電阻在不同正向壓強(qiáng)參數(shù)下的M個(gè)電導(dǎo)率值；根據(jù)所述M個(gè)電導(dǎo)率值獲取在該位置下的最佳電導(dǎo)率以及與所述最佳電導(dǎo)率相應(yīng)的參考正向壓強(qiáng)參數(shù)；

S4:在不同位置，根據(jù)所述參考正向壓強(qiáng)參數(shù)以及第二相對(duì)時(shí)間，采集所述待測(cè)極片電阻在不同位置的電導(dǎo)率值，以計(jì)算出不同位置下的電導(dǎo)率的RSD％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極片電阻電導(dǎo)率測(cè)試方法，其特征在于，步驟S1中所述預(yù)定時(shí)間為100ms；所述測(cè)試電阻值為阻抗測(cè)試儀的內(nèi)阻R1、上下壓頭的總電阻R2和極片電阻R3三者之和。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的極片電阻電導(dǎo)率測(cè)試方法，其特征在于，所述對(duì)于每個(gè)正向壓強(qiáng)參數(shù)，每隔預(yù)定時(shí)間采集所述待測(cè)極片電阻的測(cè)試電阻值，并根據(jù)采集的多個(gè)測(cè)試電阻值獲得測(cè)試電阻值趨于穩(wěn)定的第一相對(duì)時(shí)間，具體為：

S10:獲取上下壓頭的總電阻R2，并放入待測(cè)極片電阻；

S11:在同一位置同一正向壓強(qiáng)參數(shù)下測(cè)試，每隔100ms采集一個(gè)測(cè)試電阻值，并將得到的測(cè)試電阻值與相對(duì)時(shí)間進(jìn)行關(guān)聯(lián)；

S12:計(jì)算得到當(dāng)前測(cè)試電阻值與前一個(gè)測(cè)試電阻值的差值；

S13:若所得差值小于閾值，則將與當(dāng)前測(cè)試電阻值關(guān)聯(lián)的相對(duì)時(shí)間設(shè)置為當(dāng)前正向壓強(qiáng)參數(shù)下的第一相對(duì)時(shí)間,否則返回步驟S12。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極片電阻電導(dǎo)率測(cè)試方法，其特征在于，所述S3步驟具體為：

S30:在同一位置，用M個(gè)不同正向壓強(qiáng)參數(shù)遞推測(cè)試；

S31:獲取上下壓頭的總電阻R2，放入極片電阻測(cè)試；

S32:在每個(gè)正向壓強(qiáng)參數(shù)下，獲取到達(dá)第二相對(duì)時(shí)間時(shí)采集的電阻值和厚度值，同時(shí)算出相應(yīng)電導(dǎo)率，以得到當(dāng)前正向壓強(qiáng)參數(shù)下的電導(dǎo)率數(shù)據(jù)；

S33:判斷M個(gè)不同正向壓強(qiáng)參數(shù)是否測(cè)試完畢；若是，執(zhí)行步驟S34；若否，則繼續(xù)下一步驟S35；

S34:在一組M個(gè)電導(dǎo)率數(shù)據(jù)中查找出該位置的最佳電導(dǎo)率以及對(duì)應(yīng)的參考正向壓強(qiáng)參數(shù)；

S35:更換正向壓強(qiáng)參數(shù)，并返回S31。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極片電阻電導(dǎo)率測(cè)試方法，其特征在于，所述S4步驟具體為：

S40:在Y個(gè)不同位置參數(shù)下，采用獲取的參考正向壓強(qiáng)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試；

S41:獲取上下壓頭的總電阻R2，并放入極片電阻測(cè)試；

S42:等待共同趨于穩(wěn)定的第二相對(duì)時(shí)間到達(dá)時(shí)采集電阻值和厚度值，同時(shí)算出相應(yīng)電導(dǎo)率，得到一組當(dāng)前位置下的電導(dǎo)率數(shù)據(jù)；

S43:判斷Y個(gè)不同位置參數(shù)是否測(cè)試完畢；若是，執(zhí)行步驟S44；若否，則繼續(xù)下一步驟S45；

S44:對(duì)一組Y個(gè)電導(dǎo)率數(shù)據(jù)，計(jì)算出電導(dǎo)率的RSD％；

S45:更換位置參數(shù)，并返回S42。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的極片電阻電導(dǎo)率測(cè)試方法，其特征在于，

所述阻抗測(cè)試儀的內(nèi)阻R1獲取的方法具體為：將阻抗測(cè)試儀的探針短接，測(cè)量的電阻值就是阻抗測(cè)試儀的內(nèi)阻R1；

所述上下壓頭的總電阻R2獲取的方法具體為：將阻抗測(cè)試儀的探針?lè)謩e與上壓頭和下壓頭連接，上壓頭和下壓頭之間不安放極片電阻，上壓頭和下壓頭接觸導(dǎo)通，測(cè)量得到上壓頭和下壓頭的電阻值R2；

所述極片電阻的電阻值R3獲取的方法具體為：將極片電阻安放在上壓頭和下壓頭之間，上壓頭受到壓力擠壓極片電阻，讀取測(cè)試儀的電阻減去阻抗測(cè)試儀的內(nèi)阻值R1和上壓頭和下壓頭總的電阻值R2，即可得到極片電阻的電阻R3。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的極片電阻電導(dǎo)率測(cè)試方法，其特征在于，上壓頭和下壓頭接觸面積固定不變。