[發明專利]薄膜晶體管、柵極驅動電路和顯示面板

有效

• 申請號: 201811149006.X
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN109309100B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 劉鳳娟;韓影
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉薇;牛南輝

1.一種薄膜晶體管，包括：襯底基板，設置于所述襯底基板上的梳齒形狀的柵極、有源層、位于所述柵極和有源層之間的柵極絕緣層、以及梳齒形狀的源電極和漏電極，其中，

所述源電極的第一齒部和所述漏電極的第二齒部沿第一方向交替設置，并且在所述襯底基板上的正投影與所述有源層分別至少部分重疊；

所述柵極的第三齒部位于鄰近的第一齒部和第二齒部之間；

所述有源層與所述第三齒部在所述襯底基板上的正投影相交的區域為第一相交部；

所述第一齒部、所述第二齒部、所述第三齒部以及所述有源層形成多個并聯的子薄膜晶體管；

所述多個子薄膜晶體管中在中心位置處的至少一個中心子薄膜晶體管的第一相交部在所述第一方向上的第一尺寸與所述第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大，其中所述第二方向與所述第一方向垂直。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個子薄膜晶體管的相應的第一相交部的第二尺寸相同，并且所述至少一個中心子薄膜晶體管的所述第一相交部的第一尺寸最大。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其中，所述多個子薄膜晶體管中不同于所述至少一個中心子薄膜晶體管的其它子薄膜晶體管的第一相交部的第一尺寸相同。

4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其中，對于所述多個子薄膜晶體管中不同于所述至少一個中心子薄膜晶體管的其它子薄膜晶體管，隨著與所述至少一個中心子薄膜晶體管之間的距離的增加，所述其它子薄膜晶體管的第一相交部的第一尺寸減小。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層在所述第二方向上被分隔成多個段。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其中，所述多個段在所述第二方向上的尺寸相同。

7.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其中，所述多個段在所述第二方向上的尺寸不同。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其中，所述多個段中處于中心位置處的至少一個段在所述第二方向上的尺寸最小。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個子薄膜晶體管的相應的第一相交部的第一尺寸相同，并且所述至少一個中心子薄膜晶體管的第一相交部的第二尺寸最小。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中，所述多個子薄膜晶體管中不同于所述至少一個中心子薄膜晶體管的其它子薄膜晶體管的第一相交部的第二尺寸相同。

11.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中，對于所述多個子薄膜晶體管中不同于所述至少一個中心子薄膜晶體管的其它子薄膜晶體管，隨著與所述至少一個中心子薄膜晶體管之間的距離的增加，所述其它子薄膜晶體管的第一相交部的第二尺寸增大。

12.根據權利要求9至11中任一項所述的薄膜晶體管，其中，對于所述多個子薄膜晶體管中的各個子薄膜晶體管，所述有源層中用于形成相應子薄膜晶體管的區域在所述第二方向上被分隔成多個段。

13.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述至少一個中心子薄膜晶體管的第一相交部的第一尺寸最大且第二尺寸最小。

14.根據權利要求13所述的薄膜晶體管，其中，對于所述多個子薄膜晶體管中不同于所述至少一個中心子薄膜晶體管的其它子薄膜晶體管，隨著與所述至少一個中心子薄膜晶體管之間的距離的增加，所述其它子薄膜晶體管的第一相交部的第一尺寸減小。