[發明專利]一種干刻下部電極的再生工藝預處理方法有效
| 申請號： | 201811148803.6 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN109112458B | 公開（公告）日： | 2020-11-20 |
| 發明（設計）人： | 強軍 | 申請（專利權）人： | 蕪湖通潮精密機械股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C4/02 | 分類號： | C23C4/02;C23C4/134 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱圣榮 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刻下 電極 再生 工藝 預處理 方法 | ||
1.一種干刻下部電極的再生工藝預處理方法，其特征在于：
步驟1、將下部電極放入烘箱中烘干；
步驟2、清潔下部電極上的陶瓷管，以及對下部電極缺損部位清潔；
步驟3、將環氧樹脂真空膠均勻的涂在下部電極上的陶瓷管與鋁基板接觸的外壁和上端面；
步驟4、將下部電極放入烘箱中烘干；
步驟5、打磨凝固的環氧樹脂真空膠；
步驟6、對打磨后的環氧樹脂真空膠進行噴砂處理；
步驟7、對下部電極進行等離子噴涂。
2.根據權利要求1所述的干刻下部電極的再生工藝預處理方法，其特征在于：針對有缺損的下部電極處理方法如下：
所述步驟3還需對下部電極缺損部位涂抹上環氧樹脂真空膠。
3.根據權利要求2所述的干刻下部電極的再生工藝預處理方法，其特征在于：所述步驟1烘干時間2-3小時，烘干溫度55-60℃。
4.根據權利要求2所述的干刻下部電極的再生工藝預處理方法，其特征在于：所述步驟2的清潔的方法：將下部電極吊出烘箱，使用氣槍將缺損部位、以及每個陶瓷管的內壁和陶瓷管周圍的灰塵吹凈，然后使用沾有異丙醇棉簽將缺損部位，以及每個陶瓷管內壁和陶瓷管周圍擦拭干凈。
5.根據權利要求2所述的干刻下部電極的再生工藝預處理方法，其特征在于：所述步驟3中，涂抹于陶瓷管上端面的環氧樹脂真空膠高于下部電極表面，涂抹于下部電極缺損部位的環氧樹脂真空膠高于下部電極表面。
6.根據權利要求2所述的干刻下部電極的再生工藝預處理方法，其特征在于：所述步驟4烘干時間1.5-2小時，烘干溫度55-60℃。
7.根據權利要求2所述的干刻下部電極的再生工藝預處理方法，其特征在于：所述步驟5中，涂抹于陶瓷管上端面的環氧樹脂真空膠打磨后仍高于下部電極表面50-100um，涂抹于下部電極缺損部位的環氧樹脂真空膠打磨后仍高于下部電極表面50-100um。
8.根據權利要求2所述的干刻下部電極的再生工藝預處理方法，其特征在于：所述步驟6噴砂完成之后使用強光手電觀察噴砂后的環氧樹脂真空膠表面是否有氣孔，如果有則返回步驟2，如果沒有則執行步驟7。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C4-00 熔融態覆層材料噴鍍法，例如火焰噴鍍法、等離子噴鍍法或放電噴鍍法的鍍覆
C23C4-02 .待鍍材料的預處理，例如為了在選定的表面區域鍍覆
C23C4-04 .以鍍覆材料為特征的
C23C4-12 .以噴鍍方法為特征的
C23C4-18 .后處理
C23C4-14 ..用于長形材料的鍍覆
