[發(fā)明專利]半導(dǎo)體功率器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811147920.0
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN110970502A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁愿林;劉偉;毛振東;劉磊
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州東微半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底底部的漏區(qū)；

位于所述半導(dǎo)體襯底中的至少一組相鄰的第一柵溝槽和第二柵溝槽；

位于所述第一柵溝槽和所述第二柵溝槽之間的體區(qū)；

位于所述體區(qū)中的源區(qū)；

分別位于所述第一柵溝槽和所述第二柵溝槽中的柵介質(zhì)層和控制柵；

位于所述體區(qū)上方的一個源極接觸孔，所述源極接觸孔延伸至所述第一柵溝槽上方，所述體區(qū)、所述源區(qū)和所述第一柵溝槽中的控制柵均通過所述源極接觸孔中的源極金屬層外接源極電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述第一柵溝槽和所述第二柵溝槽依次間隔交替排布。

3.如權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，位于所述第一柵溝槽兩側(cè)的體區(qū)共用一個源極接觸孔。

4.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述源極金屬層嵌入至所述體區(qū)內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，還包括位于所述第一柵溝槽中的隔離介質(zhì)層和屏蔽柵，所述第一柵溝槽中的屏蔽柵通過所述隔離介質(zhì)層與所述半導(dǎo)體襯底和所述第一柵溝槽中的控制柵隔離，所述第一柵溝槽中的屏蔽柵通過所述源極接觸孔中的源極金屬層外接源極電壓。

6.如權(quán)利要求5所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述第一柵溝槽中的控制柵位于所述第一柵溝槽的上部的側(cè)壁位置處，所述第一柵溝槽中的屏蔽柵覆蓋所述第一柵溝槽的下部并延伸至所述第一柵溝槽的上部。

7.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，還包括位于所述第二柵溝槽中的隔離介質(zhì)層和屏蔽柵，所述第二柵溝槽中的屏蔽柵通過所述隔離介質(zhì)層與所述半導(dǎo)體襯底和所述第二柵溝槽中的控制柵隔離，所述第二柵溝槽中的屏蔽柵外接源極電壓，所述第二柵溝槽中的控制柵外接?xùn)艠O電壓。

8.如權(quán)利要求7所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述第一柵溝槽的開口寬度小于所述第二柵溝槽的開口寬度。

9.如權(quán)利要求7所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述第二柵溝槽中的控制柵位于所述第二柵溝槽的上部的側(cè)壁位置處，所述第二柵溝槽中的屏蔽柵覆蓋所述第二柵溝槽的下部并延伸至所述第二柵溝槽的上部。

10.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底、所述漏區(qū)、所述源區(qū)分別為n型摻雜，所述體區(qū)為p型摻雜。