[發明專利]具有厚溝槽底部氧化物的MOSFET器件

在審

• 申請號: 201811146571.0
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN109390393A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 樸贊毫;阿肖克·沙拉;瑞圖·索迪
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 徐川;姚開麗

1.一種裝置，包括：

基板；

外延層，具有第一導電類型，并且位于所述基板上；

第一溝槽，位于所述外延層中；

溝槽氧化物，位于所述第一溝槽中，并且具有位于所述溝槽氧化物的柵極部分下方的溝槽底部氧化物部分；

位于所述第一溝槽旁側的第二溝槽，所述溝槽氧化物的所述溝槽底部氧化物部分具有大于在所述外延層中所述第一溝槽與所述第二溝槽之間的距離的厚度，所述外延層具有位于所述第一溝槽的底部表面和所述基板之間的部分；以及

本體區，位于所述外延層上方，并且位于所述第一溝槽中的所述溝槽氧化物的所述柵極部分和所述第二溝槽中的溝槽氧化物的柵極部分之間，所述本體區具有不同于所述第一導電性類型的第二導電性類型，

其中，所述第一溝槽的所述溝槽底部氧化物部分的厚度大于位于所述第一溝槽與所述第二溝槽之間的臺面的寬度的兩倍，且小于位于所述第一溝槽與所述第二溝槽之間的臺面的寬度的三倍。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第二溝槽包括具有溝槽底部氧化物部分的溝槽氧化物，所述第一溝槽的所述溝槽氧化物的所述溝槽底部氧化物部分和所述第二溝槽的所述溝槽氧化物的所述溝槽底部氧化物部分全部具有被構造為沿著所述距離的全部消耗所述外延層的電荷密度。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一溝槽限定至少一部分的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件，并且當所述MOSFET器件處于斷開狀態時，沿著所述第一溝槽與所述第二溝槽之間的所述距離的全部消耗所述外延層。

4.根據權利要求1所述的裝置，進一步包括：

柵電極，位于所述溝槽底部氧化物部分上方的所述第一溝槽中，并且在所述溝槽氧化物的所述柵極部分旁側；以及

漏極觸點，位于所述第一溝槽和所述第二溝槽的下方。

5.根據權利要求1所述的裝置，進一步包括：

柵電極，位于所述溝槽底部氧化物部分上方的所述第一溝槽內，并且位于所述溝槽氧化物的所述柵極部分旁側；

其中，當在所述本體區中形成通道以響應施加于所述柵電極的電壓時，所述本體區被構造為將電流從所述本體區輸送到所述外延層。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，如果所述溝槽底部氧化物部分包括屏蔽電極，則所述溝槽底部氧化物部分具有小于柵極電容的輸出電容。

7.一種裝置，包括：

基板；

第一溝槽，包括第一溝槽氧化物，具有位于第一柵電極的中間部分下方的部分；

第二溝槽，包括第二溝槽氧化物，具有位于第二柵電極下方的部分；

外延層，具有第一導電類型，并且位于所述基板上并具有從所述第一溝槽氧化物延伸至所述第二溝槽氧化物的部分，所述第一溝槽氧化物的部分具有大于從所述第一溝槽氧化物延伸至所述第二溝槽氧化物的所述外延層的部分的寬度的厚度，所述外延層具有位于所述第一溝槽的底部表面和所述基板之間的部分；以及

本體區，位于所述第一溝槽氧化物和所述第二溝槽氧化物之間，所述本體區具有不同于所述第一導電性類型的第二導電性類型，

其中，所述第一溝槽氧化物的部分的厚度大于所述外延層的部分的寬度的兩倍且小于所述外延層的部分的寬度的三倍。

8.根據權利要求7所述的裝置，進一步包括：

由所述外延層和所述本體區的界面限定的結，所述第二溝槽氧化物沿著垂直于所述結的軸排列。

9.根據權利要求7所述的裝置，其中，所述第一溝槽氧化物的部分的厚度為所述柵電極的底面和所述第一溝槽氧化物的部分的底面之間的距離，所述第一溝槽氧化物的部分不包括屏蔽電極。

10.根據權利要求7所述的裝置，其中，所述第一溝槽氧化物的部分被構造為偏移所述外延層的部分內的電荷。