[發明專利]芯片制造過程中的缺陷檢測方法在審
| 申請號： | 201811144002.2 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN109211924A | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發明（設計）人： | 吳苑 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/88 | 分類號： | G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 工藝層 缺陷分布圖 缺陷檢測 芯片制造過程 前層 版圖設計 對準標記 階段設計 缺陷分析 芯片制造 原點坐標 原點 扣除 | ||
1.一種芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、在版圖設計階段設計出芯片制造過程中各工藝層的原點對準標記，所述原點對準標記的在芯片中的位置相同，所述原點對準標記用于在對應的工藝層的缺陷檢測過程中定義出原點坐標；
步驟二、進行芯片制造并依次形成各工藝層，每一所述工藝層完成之后需進行缺陷檢測；缺陷檢測的分步驟包括：
步驟21、令所述缺陷檢測對于的工藝層為當前工藝層；根據所述當前工藝層的原點對準標記確定所述當前工藝層的原點坐標；
步驟22、進行所述缺陷檢測得到所述當前工藝層的第一缺陷分布圖；
步驟23、判斷所述當前工藝層是否具有前一層工藝層；如果沒有前一層工藝層，則以步驟22得到的第一缺陷分布圖作為所述當前工藝層的最終缺陷分布圖；
如果具有前一層工藝層，則令所述當前工藝層的前一層工藝層為前層工藝層，則以步驟22得到的所述第一缺陷分布圖扣除所述前層工藝層的最終缺陷分布圖得到所述當前工藝層的最終缺陷分布圖；
以所述當前工藝層的最終缺陷分布圖作為所述當前工藝層的缺陷檢測結果。
2.如權利要求1所述的芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于：所述芯片形成于半導體襯底上。
3.如權利要求2所述的芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于：所述半導體襯底為硅襯底。
4.如權利要求3所述的芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于：所述原點對準標記設置在對應所述芯片的左上角。
5.如權利要求4所述的芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于：所述原點對準標記的形狀為L型結構。
6.如權利要求5所述的芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于：所述原點對準標記的L型結構由連續的線組成。
7.如權利要求5所述的芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于：所述原點對準標記的L型結構由多個點排列而成。
8.如權利要求7所述的芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于：所述原點對準標記的具有由多個點排列而成的L型結構設置在接觸孔和通孔對于的工藝層中。
9.如權利要求5所述的芯片制造過程中的缺陷檢測方法，其特征在于：所述缺陷檢測采用KLA缺陷檢測設備進行。
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