[發明專利]用于從存儲器位胞元讀取數據的存儲器系統和方法

在審

• 申請號: 201811143314.1
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN109448769A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: F·I·阿塔拉;K·A·柏曼;D·J·W·昂基納;鄭志勛;H·H·阮
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412;G11C11/418
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種存儲器系統，其包括：

存儲器位胞元，其包括：

存儲電路，其經配置以存儲數據，所述存儲電路包括：

正電源軌；

負電源軌；以及

一或多個反相器，其各自包括耦合到下拉N型場效應晶體管NFET的上拉P型場效應晶體管PFET，其中所述一或多個反相器的每一上拉PFET耦合到所述正電源軌，且所述一或多個反相器的每一下拉NFET耦合到所述負電源軌；

以及

一或多個PFET存取晶體管，其耦合到所述存儲電路；以及

所述一或多個PFET存取晶體管中的每一者包括柵極，所述柵極經配置以響應于讀取操作而由字線激活以使得所述一或多個PFET存取晶體管將所述數據從所述存儲電路傳遞到耦合到所述存儲器位胞元的位線；

位線驅動器，其經配置以響應于所述讀取操作而預放電耦合到所述存儲器位胞元的所述位線；以及

讀取輔助電路，其經配置以響應于所述讀取操作而提升所述存儲器位胞元中的電壓以輔助將所述數據從所述存儲電路傳送到所述位線，所述讀取輔助電路包括正電源軌正升壓電路，所述正電源軌正升壓電路耦合到所述一或多個反相器中的至少一個反相器的所述正電源軌，所述正電源軌正升壓電路經配置以響應于所述讀取操作而正提升所述正電源軌上的電壓從而強化所述存儲電路中的所述一或多個反相器。

2.根據權利要求1所述的存儲器系統，其中所述一或多個PFET存取晶體管包括：

耦合到所述存儲電路的第一PFET存取晶體管，所述第一PFET存取晶體管包括第一柵極，所述第一柵極經配置以響應于所述讀取操作而由所述字線激活以使得所述第一PFET存取晶體管將所述數據從所述存儲電路傳遞到所述位線；以及

耦合到所述存儲電路的第二互補PFET存取晶體管，所述第二互補PFET存取晶體管包括第二柵極，所述第二柵極經配置以響應于所述讀取操作而由所述字線激活以使得所述第二互補PFET存取晶體管將與所述數據互補的互補數據從所述存儲電路傳遞到互補位線。

3.根據權利要求2所述的存儲器系統，其中：

所述存儲電路由存儲節點和互補存儲節點組成；

響應于針對所述讀取操作的所述字線的激活，所述第一PFET存取晶體管經配置以將所述數據從所述存儲節點傳遞到所述位線；以及

響應于針對所述讀取操作的所述字線的激活，所述第二互補PFET存取晶體管經配置以將所述互補數據從所述互補存儲節點傳遞到所述互補位線。

4.根據權利要求1所述的存儲器系統，其中：

所述正電源軌正升壓電路經配置以響應于所述讀取操作而將所述正電源軌上的所述電壓正提升到超過耦合到所述正電源軌的電壓源以強化所述存儲電路中的所述一或多個反相器。

5.根據權利要求1所述的存儲器系統，其中所述正電源軌正升壓電路經配置以響應于指示充電啟用狀態的充電控制信號而正充電所述正電源軌上的所述電壓。

6.根據權利要求1所述的存儲器系統，其中所述正電源軌正升壓電路包括升壓發生器電路和耦合到所述升壓發生器電路和所述正電源軌的電荷存儲單元；

所述電荷存儲單元經配置以存儲電荷；以及

所述升壓發生器電路經配置以：

在所述讀取操作外產生待存儲于所述電荷存儲單元中的電荷；以及

響應于所述讀取操作，將存儲于所述電荷存儲單元中的所述電荷耦合到所述正電源軌以正提升所述正電源軌上的所述電壓。

7.根據權利要求6所述的存儲器系統，其中所述升壓發生器電路由多個可編程電荷產生電路組成，所述可編程電荷產生電路各自經配置以響應于相應的可編程電荷信號而選擇性地貢獻存儲于所述電荷存儲單元中的所述電荷。