[發明專利]單件式處理配件屏蔽件

有效

• 申請號: 201811141503.5
• 申請日: 2015-12-08
• 公開（公告）號: CN109585251B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 希蘭庫瑪·薩萬戴亞;瑞安·漢森;如曉·安
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/34
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種單件式處理配件屏蔽件，包括：

圓柱形主體，所述圓柱形主體具有上部和下部，所述上部包括適配器區段，所述適配器區段徑向向外延伸并具有安置表面和密封表面，所述安置表面用以將所述單件式處理配件屏蔽件支撐在腔室的壁上，當所述單件式處理配件屏蔽件被放置在所述腔室中時，腔室蓋安置在所述密封表面上，以密封所述腔室的內側容積；

熱傳遞通道，所述熱傳遞通道延伸通過所述上部的所述適配器區段；和

蓋環區段，所述蓋環區段從所述下部向下且徑向向內延伸，其中穿過所述圓柱形主體和所述蓋環區段設置的開口限定所述單件式處理配件屏蔽件的面向處理容積的表面，所述面向處理容積的表面具有直徑，并且其中在對應于所述適配器區段的所述面向處理容積的表面處的所述直徑小于所述安置表面的內徑。

2.如權利要求1所述的單件式處理配件屏蔽件，其中所述蓋環區段包括內周邊，所述內周邊包括凸出緣。

3.如權利要求1所述的單件式處理配件屏蔽件，其中所述蓋環區段的底表面經配置以與沉積環接口連接。

4.如權利要求1至3中任一項所述的單件式處理配件屏蔽件，進一步包括：

湍流產生器件，所述湍流產生器件設置在所述熱傳遞通道內。

5.如權利要求4所述的單件式處理配件屏蔽件，其中所述湍流產生器件包括：

螺旋形的主體，所述螺旋形的主體用以引發在熱傳遞介質的流動中的湍流；和

底座，所述底座經配置以與所述熱傳遞通道的壁嚙合，以當所述熱傳遞介質流動經過所述湍流產生器件時，防止所述湍流產生器件移動。

6.如權利要求1至3中任一項所述的單件式處理配件屏蔽件，其中所述單件式處理配件屏蔽件由鋁形成。

7.如權利要求1至3中任一項所述的單件式處理配件屏蔽件，其中所述單件式處理配件屏蔽件由不銹鋼形成。

8.一種處理腔室，包括：

腔室壁，所述腔室壁界定所述處理腔室內的內部容積；

濺射靶材，所述濺射靶材設置在所述內部容積的上區段中；

基板支撐件，所述基板支撐件具有支撐表面，以將基板支撐于所述濺射靶材的下方；和

單件式處理配件屏蔽件，所述單件式處理配件屏蔽件圍繞所述濺射靶材和所述基板支撐件，所述單件式處理配件屏蔽件包括：

圓柱形主體，所述圓柱形主體具有上部和下部，所述上部包括適配器區段，所述適配器區段徑向向外延伸并具有安置表面和密封表面，所述安置表面用以將所述單件式處理配件屏蔽件支撐在腔室的壁上，當所述單件式處理配件屏蔽件被放置在所述腔室中時，腔室蓋安置在所述密封表面上，以密封所述腔室的內側容積；

熱傳遞通道，所述熱傳遞通道延伸通過所述上部的所述適配器區段；和

蓋環區段，所述蓋環區段從所述下部向下且徑向向內延伸，其中穿過所述圓柱形主體和所述蓋環區段設置的開口限定所述單件式處理配件屏蔽件的面向處理容積的表面，所述面向處理容積的表面具有直徑，并且其中在對應于所述適配器區段的所述面向處理容積的表面處的所述直徑小于所述安置表面的內徑。

9.如權利要求8所述的處理腔室，其中所述密封表面包括O形環溝槽，用以接收O形環，以在所述適配器區段和所述腔室蓋之間形成真空密封。

10.如權利要求8所述的處理腔室，其中所述適配器區段的第一部分被設置在所述內部容積內，且所述適配器區段的第二部分被設置在所述內部容積的外側。

11.如權利要求8至10中任一項所述的處理腔室，其中所述單件式處理配件屏蔽件進一步包括：

湍流產生器件，所述湍流產生器件設置在所述熱傳遞通道內。

12.如權利要求11所述的處理腔室，進一步包括：

熱傳遞介質供應器，所述熱傳遞介質供應器耦接至所述熱傳遞通道，以供應熱傳遞介質至所述熱傳遞通道。