[發明專利]半導體元件的制造方法在審
| 申請號： | 201811141502.0 | 申請日： | 2018-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN109585560A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 郭書豪;張容浩;黃昭憲;林立德;江國誠 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣層 蝕刻 半導體基板 保護層 頂表面 半導體元件 原子層沉積 保留 側壁 曝露 制程 沉積 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件的制造方法，其特征在于包括以下步驟：
將一第一半導體基板通過一絕緣層結合至一第二半導體基板，該絕緣層位于該第一半導體基板與該第二半導體基板之間；
蝕刻該第一半導體基板以形成一鰭的一上部，其中該絕緣層的一第一部分通過蝕刻該第一半導體基板而曝露；
通過使用一原子層沉積制程而沉積一保護層于該鰭的該上部上及該絕緣層的該第一部分的一頂表面上；
蝕刻位于該鰭的該上部的一頂表面上及該絕緣層的該第一部分的該頂表面上的該保護層的一第一部分，其中該保護層的一第二部分保留在該鰭的該上部的一側壁上；
蝕刻該絕緣層的該第一部分，其中該絕緣層的一第二部分保留在該鰭的該上部下方；以及
蝕刻該第二半導體基板以在該絕緣層的該第二部分下方形成該鰭的一底部。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811141502.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體裝置
- 下一篇：具有漏極通孔布置的晶體管管芯以及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
