[發(fā)明專利]線鋸用加工液供給噴嘴及向線鋸供給加工液的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811140979.7
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN110962248A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 衛(wèi)藤義博;橋本大輔
• 申請（專利權(quán)）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: B28D7/00
• 分類號: B28D7/00;B28D5/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張澤洲;劉林華

提供一種雙重管構(gòu)造的線鋸用加工液供給噴嘴，前述線鋸用加工液供給噴嘴能夠在不被加工液向噴嘴內(nèi)的供給條件、加工液的狀態(tài)等影響的情況下，簡單且高精度地進(jìn)行線鋸用加工液供給噴嘴的延伸方向的加工液的噴出量的調(diào)整。本發(fā)明的線鋸用加工液供給噴嘴是具有內(nèi)管和外管的雙重管構(gòu)造。向內(nèi)管的內(nèi)部供給的加工液經(jīng)由內(nèi)管的多個孔向外管的內(nèi)部排出，進(jìn)而經(jīng)由外管的狹縫向線鋸噴出。在外管，在與內(nèi)管的多個孔相向的位置分別設(shè)置孔。螺栓安裝于這些外管的多個孔，使螺栓相對于外管的孔的固定位置從外管的外部移動，由此能夠?qū)?nèi)管的各個孔的加工液的排出量個別地調(diào)整。此外，螺栓經(jīng)由位于與外管的外表面接觸的位置的螺母，相對于外管的孔固定。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及為了向從硅等鑄錠切出多個晶片的線鋸供給漿料、冷卻劑等加工液而使用的線鋸用加工液供給噴嘴及向線鋸供給加工液的方法。

背景技術(shù)

作為半導(dǎo)體基板的晶片通過將由硅、化合物半導(dǎo)體等構(gòu)成的鑄錠切斷來制造。近年來，鑄錠的切斷方法的主流為借助線鋸?fù)瑫r切出多張晶片的方法。包括這些鑄錠，將接受線鋸的切斷處理的對象物在本說明書中稱作“工件”。

這里，利用圖2說明線鋸的大致情況。線鋸40具有線組44、工件保持機(jī)構(gòu)46、噴嘴200，前述線組44將線在多個輥42A、42B、42C間并列且能夠往復(fù)行進(jìn)地張緊，前述工件保持機(jī)構(gòu)46保持工件W，前述噴嘴200向線組44供給加工液。工件的切斷方法大致分為游離磨粒方式和固定磨粒方式。游離磨粒方式的情況下，將包括磨粒的漿料從噴嘴200向線組44連續(xù)供給，同時使線組44沿其延伸方向Z高速地往復(fù)行進(jìn)。與此同時，借助工件保持機(jī)構(gòu)46，相對于線組44使工件W沿推入的方向移動。借助此時的磨粒的切削作用，能夠?qū)⒐ぜ同時切出多數(shù)張晶片。固定磨粒方式的情況下，通過樹脂或電鍍使用固接有磨粒的線(固定磨粒線)進(jìn)行切片加工，所以從噴嘴200向線組44供給的是不含磨粒的冷卻劑。另外，在圖2中，描繪了線組44在圖中從左向右移動的狀態(tài)。

這里，作為向線組44噴出加工液的噴嘴200，已知圖3(A)~(C)所示那樣的雙重管構(gòu)造的。圖3所示的線鋸用加工液供給噴嘴200包括內(nèi)管10及外管20。內(nèi)管10直線狀地延伸，沿其延伸方向E1設(shè)置有相同直徑的多個孔12。外管20在內(nèi)管10的外側(cè)延伸，沿其延伸方向E1在與內(nèi)管的孔12相反的一側(cè)的位置設(shè)置有恒定寬度的狹縫22。加工液L被向內(nèi)管的內(nèi)部14供給，經(jīng)由內(nèi)管的多個孔12向外管的內(nèi)部24排出，進(jìn)而經(jīng)由狹縫22被噴出。如圖2及圖3所示，工件及噴嘴200在線組44位于上使得與其延伸方向Z正交的位置。因此，從噴嘴的狹縫22噴出的加工液L如圖3(A)所示，被向線組44上供給后沿線組44的行進(jìn)方向移動。

此時，有時來自狹縫22的加工液的噴出量沿噴嘴200的延伸方向E1不均。例如，圖3所示的噴嘴200中，從一個端部200A向內(nèi)管的內(nèi)部14供給加工液，另一個端部200B被固封。該情況下可知，若作為加工液使用冷卻劑，則來自內(nèi)管的孔12的冷卻劑的每單位時間的排出量為，與靠近端部200A的上游側(cè)的孔相比，在靠近端部200B的下游側(cè)的孔處變多。因此，如圖3(A)所示，從狹縫22噴出的冷卻劑L的線組44上的到達(dá)位置也是與噴嘴200的上游側(cè)相比在下游側(cè)變遠(yuǎn)。另一方面，若作為加工液使用漿料，則來自內(nèi)管的孔12的漿料的每單位時間的排出量為，與下游側(cè)相比在上游側(cè)變多。

這樣，若來自狹縫22的加工液的噴出量、到達(dá)位置沿噴嘴200的延伸方向E1不均，則導(dǎo)致被上游側(cè)的線切斷的晶片和被下游側(cè)的線切斷的晶片加工精度不同這樣的加工精度的不均。因此，希望抑制這樣的由加工液的不同導(dǎo)致的噴出量、到達(dá)位置的不均。另外，以下在本說明書中，在噴嘴的內(nèi)管的內(nèi)部的加工液的流動中，將端部200A側(cè)表述為“上游”，將端部200B側(cè)表述為“下游”。

專利文獻(xiàn)1中，作為以游離磨粒方式噴出包括磨粒的漿料的噴嘴，記載有單管式的噴嘴、雙重管構(gòu)造的噴嘴。單管式的噴嘴中，記載有使噴出漿料的狹縫的寬度從上游向下游逐漸增加，使得漿料從狹縫均勻落下(參照引用文獻(xiàn)1圖3)。但是，在雙重管構(gòu)造的噴嘴中，記載著即使狹縫的寬度沿其延伸方向恒定，漿料也從狹縫均勻落下(參照引用文獻(xiàn)1第[0012]段)。