[發明專利]單晶硅表面制絨方法

在審

• 申請號: 201811139672.5
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109301032A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 包大新;陳健生;黃仕華;王佳
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司;浙江師范大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10
• 代理公司: 杭州之江專利事務所(普通合伙) 33216
• 代理人: 朱楓

1.單晶硅表面制絨方法，采用常規的堿-異丙醇為刻蝕溶液，對單晶硅進行表面制絨，其特征在于：采用密閉式刻蝕槽，該密閉式刻蝕槽與真空泵相連，在制絨過程中，其壓強為大氣壓與低壓交替變化。

2.如權利要求1所述的單晶硅表面制絨方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)硅片損傷層去除：在封閉式低壓真空制絨裝置中，利用H₂O₂和KOH或NaOH去除硅片表面雜質及機械損傷層，此時，真空泵關閉，也就是在大氣壓強下進行處理；具體工藝為：用H₂O₂與濃度為15～25％的KOH或NaOH溶液，按照體積比為1:10～20配置成混合液，加熱至80℃，然后把雙面未拋光的單晶硅片放入其中，腐蝕300s，再用去離子水沖洗3次；

2)硅片制絨：損傷層去除以后，把硅片放入裝有制絨液的刻蝕槽，制絨溫度為80℃，制絨時間為10～30min，制絨液為：1.0～2.0wt％NaOH、0.5～1.0wt％Na₂SiO₃和3～6wt％異丙醇；在制絨過程中，打開真空泵，真空腔的壓強在0.5與1.0個大氣壓之間交替變化，變化周期為2～5s；

3)制絨完成后殘留在硅片表面的堿溶液和金屬離子去除：利用濃度為10～20％的鹽酸在室溫下浸泡120～180s，然后用去離子水沖洗3次；之后，為了去除硅片表面的氧化層，利用濃度為1％的氫氟酸在室溫下浸泡60～90s，然后用去離子沖洗3次；最后，硅片在氮氣保護下甩干，去除硅片表面水珠。