[發明專利]數據儲存裝置

有效

• 申請號: 201811139664.0
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109656833B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 林圣嵂
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

本發明涉及數據儲存裝置的非揮發式存儲器的命名空間規劃，尤其涉及善用多通道優勢并考量多通道使用特性的非揮發式存儲器的命名空間規劃。數據儲存裝置包括一非揮發式存儲器以及一控制器。該控制器以多個通道存取該非揮發式存儲器。在該非揮發式存儲器上規劃命名空間時，該控制器令這些通道都有配對命名空間。該控制器可更令各通道對應單一命名空間。

技術領域

本發明有關于數據儲存裝置，特別有關于非揮發式存儲器的命名空間(namespace)配置。

背景技術

非揮發式存儲器有多種形式─例如，快閃存儲器(flash memory)、磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive RAM)、鐵電隨機存取存儲器(Ferroelectric RAM)、電阻式隨機存取存儲器(Resistive RAM)、自旋轉移力矩隨機存取存儲器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于長時間數據保存。

非揮發式存儲器是先進行命名空間(namespace)規劃再使用。主機下達的指令會指示系操作哪個命名空間；例如，對某命名空間的寫入(write)、讀取(read)、數據抹除(erase)操作。如何適當規劃命名空間為本技術領域一項重要課題。

發明內容

本發明提出非揮發式存儲器的一種命名空間(namespace)規劃─特別將非揮發式存儲器的操作效能納入考量。

根據本發明一種實施方式所實現的數據儲存裝置包括一非揮發式存儲器以及一控制器。該控制器以多個通道存取該非揮發式存儲器。在該非揮發式存儲器上規劃命名空間時，該控制器令不同命名空間規劃到的通道不重復。

一種實施方式中，原先就存在于該非揮發式存儲器的命名空間系經解依附后交由該控制器重新規劃，并由該控制器將其中數據搬移至新規劃的空間。

一種實施方式中，該控制器令這些通道都有配對命名空間。這些通道的總數為X，上述命名空間的總數為Y，且各命名空間是以Z個通道操作，Z為X除以Y。各命名空間對應等量通道。

一種實施方式中，該控制器令各命名空間的尺寸需求由所對應的通道均分負責。該控制器可設定各通道負責哪些邏輯地址范圍，以應付所對應的命名空間的尺寸需求。

一種實施方式中，該非揮發式存儲器為快閃存儲器，由一主機下達邏輯區塊地址透過該控制器而控制。該控制器設定各通道負責哪些邏輯區塊地址范圍，以應付所對應的命名空間的尺寸需求。該控制器可以各通道閑置的區塊進行垃圾回收以及抹寫平均。同一命名空間所對應的通道可負責等量的邏輯區塊地址范圍，以應付該命名空間的尺寸需求。

下文特舉實施例，并配合附圖，詳細說明本發明內容。

附圖說明

圖1根據本發明一種實施方式圖解一數據儲存裝置100，控制器102處理來自主機104的存取指令并采用四通道CH#0…CH#3進行快閃存儲器存取；

圖2為流程圖，根據本發明一種實施方式圖解主機104如何下達命名空間規劃要求；以及

圖3A以及圖3B為本發明一種實施方式建立命名空間方法的流程圖，本發明建立命名空間的方法可用以對應主機104在步驟S202所發出的命名空間建立或命名空間管理指令。

符號說明

100～數據儲存裝置；

102～控制器；

104～主機；

B000…B31n～區塊；

CH#0、CH#1、CH#2以及CH#3～通道；

Chip#0、Chip#1～晶片；