[發明專利]顯示器的像素結構

在審

• 申請號: 201811139431.0
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109001940A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 王超;梅新東
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1337
• 分類號: G02F1/1337;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種顯示器的像素結構，其特征在于：所述像素結構包含：

一第一像素區域，所述像素結構在所述第一像素區域中包含：

一第一電極；

一絕緣保護層，設置于所述第一電極上；

一第二電極，設置于所述絕緣保護層上；及

一絕緣層，設置于所述第二電極上；以及

一第二像素區域，與所述第一像素區域相鄰接，所述像素結構在所述第二像素區域中包含所述第一電極、所述絕緣保護層、所述第二電極及所述絕緣層，其中所述絕緣保護層設置于所述第二電極上，所述第一電極設置于所述絕緣保護層上，及所述絕緣層設置于所述第一電極上；

其中在所述第一像素區域中的所述絕緣層具有一第一離子極性，在所述第二像素區域中的所述絕緣層具有一第二離子極性，所述第一離子極性與所述第二離子彼此的極性相反，所述第一離子極性的多個第一離子及所述第二離子極性的多個第二離子通過所述絕緣層重新分布擴散或中和。

2.如權利要求1所述的顯示器的像素結構，其特征在于：所述第一離子極性為負，及所述第二離子極性為正。

3.如權利要求1所述的顯示器的像素結構，其特征在于：所述第一電極為一公共電極，及所述第二電極為一像素電極。

4.如權利要求1所述的顯示器的像素結構，其特征在于：在所述第一像素區域中的所述絕緣層與所述第二電極相接觸；在所述第二像素區域中的所述絕緣層與所述第一電極相接觸。

5.如權利要求1所述的顯示器的像素結構，其特征在于：所述絕緣層為一聚酰亞胺層。

6.一種顯示器的像素結構，其特征在于：所述像素結構包含：

一第一像素區域；及

一第二像素區域，與所述第一像素區域相鄰接；

其中所述第一像素區域具有一第一直流殘留電場，所述第二像素區域具有一第二直流殘留電場，所述第一直流殘留電場與所述第二直流殘留電場彼此的電場方向相反，所述第一直流殘留電場的多個第一離子及所述第二直流殘留電場的多個第二離子通過所述絕緣層重新分布擴散或中和。

7.如權利要求6所述的顯示器的像素結構，其特征在于：

所述像素結構在所述第一像素區域中包含：

一第一電極；

一第二電極，設置于所述第一電極上；及

一絕緣層，設置于所述第二電極上；以及

所述像素結構在所述第二像素區域中包含：

所述第二電極；

所述第一電極，設置于所述第二電極上；及

所述絕緣層，設置于所述第一電極上。

8.如權利要求7所述的顯示器的像素結構，其特征在于：所述第一電極為一公共電極，及所述第二電極為一像素電極。

9.如權利要求8所述的顯示器的像素結構，其特征在于：在所述第一像素區域中的所述絕緣層與所述第二電極相接觸；在所述第二像素區域中的所述絕緣層與所述第一電極相接觸。

10.如權利要求7所述的顯示器的像素結構，其特征在于：所述絕緣層為一聚酰亞胺層。