[發明專利]一種功率芯片的劃片方法及半導體器件有效
| 申請號： | 201811136919.8 | 申請日： | 2018-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN109449084B | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發明（設計）人： | 武偉;李現兵;韓榮剛;吳軍民;張喆;張朋;林仲康;唐新靈;石浩;王亮 | 申請（專利權）人： | 全球能源互聯網研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 102209 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 芯片 劃片 方法 半導體器件 | ||
1.一種功率芯片的劃片方法，其特征在于，包括如下步驟：
在晶圓正面的劃片道位置上形成劃片槽，所述劃片槽露出晶圓背面的金屬層，采用等離子干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝在晶圓正面的劃片道位置上形成劃片槽；
在所述劃片槽內填充塑封材料；
采用刀片切割方式對所述晶圓進行切割，得到若干個獨立的芯片。
2.根據權利要求1所述的功率芯片的劃片方法，其特征在于，在晶圓正面的劃片道位置上形成劃片槽的步驟之前，還包括：
在晶圓正面覆蓋光刻膠；
去除劃片道上的所述光刻膠，以露出所述劃片道。
3.根據權利要求2所述的功率芯片的劃片方法，其特征在于，采用刀片切割方式對所述晶圓進行切割的步驟之前，還包括：
去除晶圓正面的所述光刻膠。
4.根據權利要求1所述的功率芯片的劃片方法，其特征在于，在晶圓正面的劃片道位置上形成劃片槽的步驟之前，還包括：
在晶圓背面覆蓋薄膜層。
5.根據權利要求1所述的功率芯片的劃片方法，其特征在于，所述劃片槽的頂部大于底部。
6.根據權利要求1所述的功率芯片的劃片方法，其特征在于，所述劃片槽的側壁與晶圓底部的夾角為45-90度。
7.根據權利要求1所述的功率芯片的劃片方法，其特征在于，所述劃片槽的側壁呈鋸齒狀。
8.根據權利要求1所述的功率芯片的劃片方法，其特征在于，所述塑封材料包括熱膨脹系數在6-7ppm/℃范圍內的高分子材料。
9.一種半導體器件，其特征在于，采用如權利要求1-8任一所述的功率芯片的劃片方法制備而成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
