[發明專利]磁分析器單元

在審

• 申請號: 201811136620.2
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109300756A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 楊健;李天慧;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01J37/05
• 分類號: H01J37/05;H01J37/317
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 周衡威

1.一種磁分析器單元，其特征在于，所述磁分析器單元包括：

接收端開口，所述接收端開口被構造為接收來自離子源的離子流；

輸出端開口，所述輸出端開口被構造為輸出所述離子流中的具有特定質荷比的離子；

離子通道，所述離子通道連接所述接收端開口與所述輸出端開口，并且所述離子通道包括至少一個U形通道區段；

其中，所述至少一個U形通道區段被布置在磁場中，所述磁場被配置為使得具有特定質荷比的所述離子能夠通過所述至少一個U形通道區段。

2.如權利要求1所述的磁分析器單元，其特征在于：

所述磁場至少包括第一磁場和第二磁場，所述第一磁場被構造為使得具有特定質荷比的所述離子沿第一旋轉方向旋轉，所述第二磁場被構造為使得具有特定質荷比的所述離子沿第二旋轉方向旋轉，所述第二旋轉方向與所述第一旋轉方向不同。

3.如權利要求2所述的磁分析器單元，其特征在于：

所述至少一個U形通道區段包含級聯的多個U形通道區段。

4.如權利要求3所述的磁分析器單元，其特征在于：

所述多個U形通道區段包括：

朝向第一方向開口的U形通道區段的第一集合，所述第一集合被所述第一磁場覆蓋；以及

朝向第二方向開口的U形通道區段的第二集合，所述第二集合被所述第二磁場覆蓋；

其中，所述第一方向與所述第二方向不同。

5.如權利要求4所述的磁分析器單元，其特征在于：

具有特定質荷比的所述離子以第一旋轉方向通過所述第一集合中的每一個U形通道區段；并且

具有特定質荷比的所述離子以第二旋轉方向通過所述第二集合中的每一個U形通道區段。

6.如權利要求4所述的磁分析器單元，其特征在于：

至少基于所述第一集合中的每個U形通道區段的彎曲部分的曲率半徑以及所述特定質荷比來確定所述第一磁場的強度；并且

至少基于所述第二集合中的每個U形通道區段的彎曲部分的曲率半徑以及所述特定質荷比來確定所述第二磁場的強度。

7.如權利要求6所述的磁分析器單元，其特征在于：

所述第一磁場的強度大于或等于所述第二磁場的強度。

8.如權利要求4所述的磁分析器單元，其特征在于：

所述多個U形通道區段之間插入有直的通道區段，所述直的通道區段不被所述第一磁場或所述第二磁場覆蓋。

9.如權利要求4所述的磁分析器單元，其特征在于：

所述至少一個U形通道區段包含僅一個U形通道區段。

10.如權利要求2所述的磁分析器單元，其特征在于：

所述磁分析器單元還包括磁發生器，所述磁發生器用于生成所述磁場。