[發明專利]一種太赫茲全360°反射型移相器在審
| 申請號: | 201811136525.2 | 申請日: | 2018-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN110971211A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發明(設計)人: | 馬建國;李旭光;周紹華;趙升;楊自凱;楊闖;張蕾;李昭 | 申請(專利權)人: | 天津大學青島海洋技術研究院 |
| 主分類號: | H03H11/16 | 分類號: | H03H11/16 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266200 山東省青島市鰲*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 赫茲 360 反射 移相器 | ||
1.一種太赫茲全360°反射型移相器,其特征在于:基于CMOS工藝,采用反射型移相器與0°/180°變相器結合的方式實現的太赫茲全360°移相器,具體結構為:單端輸入信號經過巴倫T1轉變為差分信號并輸入0°/180°變相器;0°/180°變相器結構由跨導晶體管M1和M2、以及差分晶體管M3~M6組成;T1輸出的差分信號輸入跨導晶體管M1和M2的柵極,經放大后由漏極輸出進入差分晶體管M3~M6的源級;VS作為差分晶體管的控制信號,配合反相器控制M3~M6的開關狀態;M3~M6的漏極以交叉結構連接至變壓器T2并輸出至隨后的3dB耦合器輸入端;在這個過程中,VS作為控制信號,在處于高電平或低電平時將分別產生0°和180°兩個狀態;反射型移相器結構由3dB耦合器和負載π型網絡兩部分;3dB耦合器的隔離端和直通端分別連接由C1、C2、L1和C3、C4、L2組成的π型負載網絡;其中C1~C4為可變電容,通過電壓控制其容值實現負載網絡的阻抗變化,實現反射型移相器的相位變化;最終,3dB耦合器隔離端為整個電路的輸出。
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