[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811134615.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109065563A | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龍海鳳;李天慧;藤井光一;黃曉櫓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 張小穩(wěn) |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 隔離部件 濾色器陣列 濾色器 圖像傳感器 襯底 感光單元陣列 折射率 相鄰濾色器 感光單元 濾色器層 分隔 入射 平行 制造 隔離 配置 吸收 | ||
1.一種圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器包括:
襯底,包括感光單元陣列;
在所述襯底之上的濾色器層,所述濾色器層包括濾色器陣列,其中所述濾色器陣列包括在所述感光單元陣列中的多個(gè)感光單元上方對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)濾色器,所述濾色器層還包括在所述襯底之上的將所述濾色器陣列中的多個(gè)濾色器分隔開的濾色器隔離CFI結(jié)構(gòu);
在所述多個(gè)濾色器中的相鄰濾色器之間,在平行于所述襯底的方向上,所述CFI結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)或更多個(gè)第一隔離部件以及一個(gè)或多個(gè)第二隔離部件,其中所述一個(gè)或多個(gè)第二隔離部件中的每個(gè)第二隔離部件布置在所述兩個(gè)或更多個(gè)第一隔離部件中的兩個(gè)第一隔離部件之間;以及
其中所述兩個(gè)或更多個(gè)第一隔離部件中的各第一隔離部件的折射率小于所述濾色器陣列中的各濾色器的折射率,并且所述一個(gè)或多個(gè)第二隔離部件中的各第二隔離部件被配置為能夠吸收入射到其中的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器還包括:
在所述濾色器層之上的微透鏡陣列,所述微透鏡陣列中的多個(gè)微透鏡與所述感光單元陣列中的多個(gè)感光單元對(duì)應(yīng)地設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述兩個(gè)或更多個(gè)第一隔離部件中的各第一隔離部件被配置為改變?nèi)肷涞狡浔砻娴墓獾男羞M(jìn)方向,以朝向相應(yīng)的感光單元引導(dǎo)光且使光偏離其它感光單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述兩個(gè)或更多個(gè)第一隔離部件由氧化硅形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述一個(gè)或多個(gè)第二隔離部件中的各第二隔離部件由光吸收層或防反射層形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其特征在于,所述光吸收層由含有吸光摻質(zhì)顆粒的聚合物材料、有色聚酰亞胺、黑鉻、陽極化金屬、干膜、陶瓷、有色粘合劑、玻璃、硅、光敏玻璃、半導(dǎo)體材料中的一種或多種來形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其特征在于,所述防反射層的在平行于所述襯底的方向上的寬度被配置為與所述防反射層的折射率和從相鄰的濾色器入射到所述防反射層的光的波長有關(guān),并且被配置為使得從所述防反射層的垂直于所述襯底的同一表面出射的光至少部分地抵消。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器,其特征在于,所述防反射層的在平行于所述襯底的方向上的寬度被配置為使得從所述防反射層的垂直于所述襯底的同一表面出射的光的相位差接近于180°或其奇數(shù)倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其特征在于,所述防反射層含有吸光摻質(zhì)顆粒。
10.一種制造圖像傳感器的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供襯底,其包括感光單元陣列;
在所述襯底之上形成第一層;
去除與所述感光單元陣列中的多個(gè)感光單元對(duì)應(yīng)的所述第一層以形成多個(gè)第一開口,并保留所述多個(gè)第一開口中的第一開口之間的所述第一層以形成多個(gè)第一柵格;
在所述第一層上形成第一材料層,所述第一材料層至少覆蓋所述多個(gè)第一開口中的每個(gè)第一開口的側(cè)壁;
去除所述第一材料層的一部分并保留所述多個(gè)第一開口中的每個(gè)第一開口的側(cè)壁上的第一材料層,從而形成多個(gè)第一隔離部件;
在側(cè)壁被第一隔離部件覆蓋的每個(gè)第一開口中形成濾色器,其中各濾色器的折射率大于與其鄰接的各第一隔離部件的折射率;
去除所述多個(gè)第一柵格以形成多個(gè)第二開口;
在所述多個(gè)第二開口中的每個(gè)第二開口中形成第二隔離部件,其中各第二隔離部件被配置為能夠吸收入射到其中的光;以及
其中在相鄰濾色器之間,在平行于所述襯底的方向上,由兩個(gè)第一隔離部件以及其間的第二隔離部件形成濾色器隔離CFI結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德淮半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)德淮半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811134615.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:背照式CMOS圖像傳感器及其制作方法
- 下一篇:圖像傳感器及其形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





