[發明專利]脫模處理方法、模具及抗反射膜

有效

• 申請號: 201811134310.7
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN109571834B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 中松健一郎
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: B29C41/04
• 分類號: B29C41/04;B29C41/38;B29C33/38;B29C33/64;B29L11/00
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;習冬梅

1.一種脫模處理方法，其特征在于，包括：

步驟A，準備表面具有多孔氧化鋁層的模具、包含氧化硅前驅體和溶劑的前驅體溶液、和包含氟系硅烷偶聯劑的脫模劑，所述多孔氧化鋁層具有多個凹部，所述凹部從所述表面的法線方向觀察時的二維大小為10nm以上且未達500nm；

步驟B，對所述表面提供所述前驅體溶液；

步驟C，其在所述步驟B之后，使提供給所述表面的所述前驅體溶液所含的所述溶劑至少減少；

步驟D，其在所述步驟B之后，通過對提供給所述表面的所述前驅體溶液所含的所述氧化硅前驅體進行煅燒，而形成包含氧化硅、實質上不含碳的絕緣層，所述多個凹部的側面從所述絕緣層露出；

步驟E，其在所述步驟C及所述步驟D之后，對所述表面提供所述脫模劑。

2.根據權利要求1所述的脫模處理方法，其特征在于，在所述步驟B中，提供給所述表面的所述前驅體溶液包含5質量％以上、20質量％以下的所述氧化硅前驅體。

3.根據權利要求1或2所述的脫模處理方法，其特征在于，所述步驟D包括如下步驟：以100℃以上、1000℃以下的溫度，對提供給所述表面的所述前驅體溶液所含的所述氧化硅前驅體進行煅燒。

4.根據權利要求1或2所述的脫模處理方法，其特征在于，所述步驟D包括如下步驟：將提供給所述表面的所述前驅體溶液所含的所述氧化硅前驅體煅燒5分鐘以上、60分鐘以下的時間。

5.根據權利要求1或2所述的脫模處理方法，其特征在于，所述步驟B包括如下步驟：通過以1000rpm以上、3000rpm以下的轉速旋涂所述前驅體溶液而提供給所述表面。

6.根據權利要求1或2所述的脫模處理方法，其特征在于，在所述步驟C及所述步驟D之后、且所述步驟E之前，還包括步驟F：將所述絕緣層的表面灰化。

7.根據權利要求1或2所述的脫模處理方法，其特征在于，在所述步驟E之后還包括步驟G：將提供給所述表面的所述脫模劑所含的溶劑除去。

8.根據權利要求7所述的脫模處理方法，其特征在于，所述步驟G包括如下步驟：以100℃以上、200℃以下的溫度，對提供給所述表面的所述脫模劑進行煅燒。

9.根據權利要求1或2所述的脫模處理方法，其特征在于，所述氧化硅前驅體包含聚硅氧烷系化合物或聚倍半硅氧烷系化合物。

10.根據權利要求1或2的脫模處理方法，其特征在于，所述氧化硅前驅體包含實質上不含碳的聚倍半硅氧烷系化合物。

11.一種模具，其通過權利要求1至10中任一項所述的脫模處理方法而被脫模處理，表面具有多孔氧化鋁層，其特征在于，

所述多孔氧化鋁層具有多個凹部，所述凹部從所述表面的法線方向觀察時的二維大小為10nm以上且未達500nm；

還具有絕緣層，所述絕緣層形成在所述多個凹部內，且包含氧化硅、實質上不含碳，所述多個凹部的側面從所述絕緣層露出。

12.根據權利要求11所述的模具，其特征在于，所述絕緣層的厚度為所述多個凹部深度的5％以上、50％以下。

13.根據權利要求11或12所述的模具，其特征在于，所述絕緣層包含具有硅氧烷鍵的聚合物。