[發明專利]一種測量硅光相干接收機光電響應度的裝置和方法

有效

• 申請號: 201811134088.0
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN109194411B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 陳宏剛;張博;丁蘭;梁雪瑞;楊俊麒;胡毅;馬衛東
• 申請（專利權）人: 武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號: H04B10/61
• 分類號: H04B10/61;H04B10/079
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;李相雨

本發明實施例提供一種測量硅光相干接收機光電響應度的裝置和方法，其中裝置包括光源、硅光相干接收機、光功率計、電流測量單元、光路轉換單元和處理單元；處理單元用于控制光路轉換單元將光源發出的信號光切換至光功率計以及硅光相干接收機的信號輸入端和/或本征輸入端；光功率計用于測量信號輸入端和/或本征輸入端的輸入光功率；電流測量單元用于測量信號輸入端的第一偏振電流和第二偏振電流，和/或本征輸入端的本征輸出電流；處理單元還用于計算信號輸入端的光電響應度，和/或計算本征輸入端的光電響應度。本發明實施例提供的裝置和方法，結構簡單，操作方便，價格低廉，自動化程度高，測試結果精確，測試數據自動生成無需人工處理。

技術領域

本發明實施例涉及光通信技術領域，尤其涉及一種測量硅光相干接收機光電響應度的裝置和方法。

背景技術

硅光相干接收機是基于硅和硅基襯底材料(如SiGe/Si、SOI等)，采用現有CMOS工藝將信號光功率監控二極管、光電二極管、信號光可調衰減器、偏振分束器、90°相干光混頻器等部分單片集成于相干接收機的硅光芯片內，此工藝結合了集成電路技術的超大規模、超高精度制造的特性和光子技術超高速率、超低功耗的優勢。

但是，硅光相干接收機也存在如下缺點：損耗比傳統工藝的器件偏大，器件光電指標隨波長變化即WDL偏大。而硅光相干接收機的光電響應度指標就是用來直接評估器件損耗的，不同波長下的光電響應度還可以用來評估器件的WDL指標，因此硅光相干接收機的光電響應度測試非常重要。

當前測量硅光相干接收機的光電響應度通常采用人工手動測試，需要昂貴的單波長可調激光器外加手動偏振控制器并通過人眼讀取電流源顯示數據，操作非常不方便同時效率極其低下。因此，如何簡單準確的測量硅光相干接收機的光電響應度對于器件指標的評定及后續規?；纳a有極其重要的意義。

發明內容

本發明實施例提供一種測量硅光相干接收機光電響應度的裝置和方法，用以解決現有的硅光相干接收機光電響應度測量不便且效率低下的問題。

第一方面，本發明實施例提供一種測量硅光相干接收機光電響應度的裝置，包括光源、硅光相干接收機、光功率計、電流測量單元、光路轉換單元和處理單元；硅光相干接收機與電流測量單元連接，處理單元分別與光功率計、電流測量單元和光路轉換單元連接；

處理單元用于控制光路轉換單元將光源發出的信號光切換至光功率計以及硅光相干接收機的信號輸入端和/或本征輸入端；

光功率計用于測量信號輸入端和/或本征輸入端的輸入光功率；

電流測量單元用于測量信號輸入端的第一偏振電流和第二偏振電流，和/或本征輸入端的本征輸出電流；

處理單元還用于根據信號輸入端的輸入光功率以及第一偏振電流和第二偏振電流計算信號輸入端的光電響應度，和/或根據本征輸入端的輸入光功率與本征輸出電流計算本征輸入端的光電響應度。

第二方面，本發明實施例提供一種測量硅光相干接收機光電響應度的方法，包括：

處理單元控制光路轉換單元，將光源發出的信號光切換至光功率計，光功率計測量硅光相干接收機的信號輸入端和/或本征輸入端的輸入光功率；

處理單元控制光路轉換單元，將光源發出的信號光切換至硅光相干接收機的信號輸入端和/或本征輸入端，電流測量單元測量信號輸入端的第一偏振電流和第二偏振電流，和/或本征輸入端的本征輸出電流；

處理單元根據信號輸入端的輸入光功率以及第一偏振電流和第二偏振電流計算信號輸入端的光電響應度，和/或根據本征輸入端的輸入光功率與本征輸出電流計算本征輸入端的光電響應度。