[發(fā)明專利]一種固晶方法及終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811133318.1
• 申請(qǐng)日: 2018-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN109285933B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張躍春;梁國(guó)康;梁國(guó)城;李金龍;程飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 先進(jìn)光電器材(深圳)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275
• 代理人: 張明

1.一種固晶方法，其特征在于，包括：

分別預(yù)設(shè)固晶參考點(diǎn)、待固定晶元參考點(diǎn)和待固晶位置參考點(diǎn)；

分別獲取至少兩個(gè)的待固定晶元的第一圖像信息；

根據(jù)所述第一圖像信息和待固定晶元參考點(diǎn)分別計(jì)算得到至少兩個(gè)的所述待固定晶元的坐標(biāo)偏差；

根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固定晶元的坐標(biāo)偏差和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固定晶元進(jìn)行調(diào)整；

分別獲取至少兩個(gè)的待固晶位置的第二圖像信息，至少兩個(gè)的所述待固晶位置與至少兩個(gè)的所述待固定晶元一一對(duì)應(yīng)設(shè)置；

根據(jù)所述第二圖像信息和待固晶位置參考點(diǎn)分別計(jì)算得到至少兩個(gè)的所述待固晶位置的坐標(biāo)偏差；

根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固晶位置的坐標(biāo)偏差和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固晶位置進(jìn)行調(diào)整；

將調(diào)整后的至少兩個(gè)的所述待固定晶元固定在調(diào)整后的至少兩個(gè)的所述待固晶位置上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固定晶元的坐標(biāo)偏差和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固定晶元進(jìn)行調(diào)整具體為：

根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固定晶元的坐標(biāo)偏差計(jì)算得到坐標(biāo)偏差的第一平均值；

根據(jù)所述第一平均值和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固定晶元進(jìn)行調(diào)整。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固晶位置的坐標(biāo)偏差和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固晶位置進(jìn)行調(diào)整具體為：

根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固晶位置的坐標(biāo)偏差計(jì)算得到坐標(biāo)偏差的第二平均值；

根據(jù)所述第二平均值和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固晶位置進(jìn)行調(diào)整。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述將調(diào)整后的至少兩個(gè)的所述待固定晶元固定在調(diào)整后的至少兩個(gè)的所述待固晶位置上之前還包括：在待固晶位置上涂覆粘接層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固晶方法，其特征在于，至少兩個(gè)的所述待固定晶元分別固定設(shè)置于膜材料上，所述將調(diào)整后的至少兩個(gè)的所述待固定晶元固定在調(diào)整后的至少兩個(gè)的所述待固晶位置上具體為：

同時(shí)驅(qū)動(dòng)至少兩個(gè)的所述待固定晶元朝靠近待固晶位置的方向運(yùn)動(dòng)，并同時(shí)通過真空吸附的方式吸附所述膜材料，使膜材料與待固定晶元分離，完成固晶。

6.一種固晶終端，包括處理器、存儲(chǔ)器以及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，

所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)以下步驟：

分別預(yù)設(shè)固晶參考點(diǎn)、待固定晶元參考點(diǎn)和待固晶位置參考點(diǎn)；

分別獲取至少兩個(gè)的待固定晶元的第一圖像信息；

根據(jù)所述第一圖像信息和待固定晶元參考點(diǎn)分別計(jì)算得到至少兩個(gè)的所述待固定晶元的坐標(biāo)偏差；

根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固定晶元的坐標(biāo)偏差和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固定晶元進(jìn)行調(diào)整；

分別獲取至少兩個(gè)的待固晶位置的第二圖像信息，至少兩個(gè)的所述待固晶位置與至少兩個(gè)的所述待固定晶元一一對(duì)應(yīng)設(shè)置；

根據(jù)所述第二圖像信息和待固晶位置參考點(diǎn)分別計(jì)算得到至少兩個(gè)的所述待固晶位置的坐標(biāo)偏差；

根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固晶位置的坐標(biāo)偏差和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固晶位置進(jìn)行調(diào)整；

將調(diào)整后的至少兩個(gè)的所述待固定晶元固定在調(diào)整后的至少兩個(gè)的所述待固晶位置上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固晶終端，其特征在于，所述根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固定晶元的坐標(biāo)偏差和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固定晶元進(jìn)行調(diào)整具體為：

根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固定晶元的坐標(biāo)偏差計(jì)算得到坐標(biāo)偏差的第一平均值；

根據(jù)所述第一平均值和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固定晶元進(jìn)行調(diào)整。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固晶終端，其特征在于，所述根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固晶位置的坐標(biāo)偏差和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固晶位置進(jìn)行調(diào)整具體為：

根據(jù)至少兩個(gè)的所述待固晶位置的坐標(biāo)偏差計(jì)算得到坐標(biāo)偏差的第二平均值；

根據(jù)所述第二平均值和固晶參考點(diǎn)對(duì)至少兩個(gè)的所述待固晶位置進(jìn)行調(diào)整。