[發明專利]一種PMOS結構的形成方法

有效

• 申請號: 201811133099.7
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN109103111B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 劉星;黃煒;徐靜靜;周俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種PMOS結構的形成方法，其特征在于，包括：

步驟S1，提供一N型襯底，所述N型襯底的上表面制備有堆疊的柵氧化層以及柵極結構；

步驟S2，采用一第一離子注入工藝對所述N型襯底暴露出的上表面進行輕摻雜，以在所述N型襯底中形成輕摻雜源漏極結構；

步驟S3，于所述柵極結構的側壁形成側墻結構；

步驟S4，采用一第二離子注入工藝對所述N型襯底暴露出的上表面進行重摻雜，以在所述N型襯底中形成重摻雜源漏極結構；

其中，所述第一離子注入工藝和所述第二離子注入工藝在所述N型襯底中形成了總含量為1*10^14/cm²~2*10^15/cm²的氟離子；所述步驟S2中，所述第一離子注入工藝注入的離子種類為二氟化硼離子和硼離子；

所述步驟S4中，所述第二離子注入工藝注入的離子種類為二氟化硼離子和氟離子。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述第一離子注入工藝注入的所述二氟化硼離子的注入量為5*10^13/cm²~5*10^14/cm²；所述硼離子的注入量為0/cm²~5*10^14/cm²。

3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述第二離子注入工藝注入的所述二氟化硼離子的注入量為0/cm²~5*10^14/cm²；所述氟離子的注入量為5*10^13/cm²~1.0*10^15/cm²。

4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S1中，制備形成的所述柵氧化層的厚度為20? ~80?。

5.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S1中，采用二氧化硅形成所述柵氧化層。

6.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S1中，采用N型摻雜的硅襯底形成所述N型襯底。

7.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S1中，采用多晶硅材料形成所述柵極結構。