[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器裝置及其操作方法及非易失性存儲(chǔ)器封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811132920.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109686391B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭鳳吉;金炯坤;鄭東勳;崔明勳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G11C16/06 | 分類號(hào): | G11C16/06;G11C16/08;G06F13/16;G06F13/10 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 劉培培;黃隸凡 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿道水*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非易失性存儲(chǔ)器 裝置 及其 操作方法 封裝 | ||
一種非易失性存儲(chǔ)器裝置的操作方法包含:從非易失性存儲(chǔ)器裝置的外部接收控制信號(hào)及數(shù)據(jù)信號(hào);基于控制信號(hào)及數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生調(diào)試信息;從非易失性存儲(chǔ)器裝置的外部接收調(diào)試信息請(qǐng)求;以及響應(yīng)于調(diào)試信息請(qǐng)求輸出調(diào)試信息。也提供一種非易失性存儲(chǔ)器裝置和一種非易失性存儲(chǔ)器封裝。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
要求2017年10月19日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局遞交的第10-2017-0136042號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),所述申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明概念涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,且更確切地說(shuō),涉及一種非易失性存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置分類成:易失性存儲(chǔ)器裝置,如當(dāng)斷電時(shí)失去存儲(chǔ)其中的數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(static?random?access?memory;SRAM)、動(dòng)態(tài)RAM(dynamic?RAM;DRAM)、同步DRAM(synchronous?DRAM;SDRAM)以及其類似裝置;以及非易失性存儲(chǔ)器裝置,如當(dāng)斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)的只讀存儲(chǔ)器(Read?Only?Memory;ROM)、可編程ROM(programmableROM;PROM)、電可編程ROM(electrically?programmable?ROM;EPROM)、電可擦除和可編程ROM(electrically?erasable?and?programmable?ROM;EEPROM)、閃存存儲(chǔ)器、相變RAM(phase-change?RAM;PRAM)、磁性RAM(magnetic?RAM;MRAM)、電阻RAM(resistive?RAM;RRAM)、鐵電RAM(ferroelectric?RAM;FRAM)以及其類似裝置。
存儲(chǔ)裝置的特征可為包含非易失性存儲(chǔ)器裝置和控制非易失性存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器控制器。非易失性存儲(chǔ)器裝置通常從存儲(chǔ)器控制器接收控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)。輸入信號(hào)可通過(guò)連接非易失性存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器控制器的接口發(fā)射到非易失性存儲(chǔ)器裝置。在存儲(chǔ)裝置的操作中出現(xiàn)失效的情況下,可對(duì)存儲(chǔ)裝置執(zhí)行調(diào)試。可針對(duì)造成失效的軟件代碼、存儲(chǔ)器控制器、接口以及其類似物進(jìn)行調(diào)試。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明概念的實(shí)施例提供包含用于存儲(chǔ)器控制器與非易失性存儲(chǔ)器裝置之間的接口的調(diào)試的非易失性存儲(chǔ)器裝置及其操作方法,其能夠檢測(cè)與非易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)裝置的故障原因。
本發(fā)明概念的實(shí)施例提供一種非易失性存儲(chǔ)器裝置的操作方法,所述非易失性存儲(chǔ)器裝置包含信號(hào)存儲(chǔ)電路、調(diào)試信息產(chǎn)生器以及調(diào)試信息寄存器。所述操作方法包含:通過(guò)信號(hào)存儲(chǔ)電路從非易失性存儲(chǔ)器裝置的外部接收控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào);通過(guò)調(diào)試信息產(chǎn)生器,基于控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生調(diào)試信息;從非易失性存儲(chǔ)器裝置的外部接收調(diào)試信息請(qǐng)求;以及通過(guò)調(diào)試信息寄存器,響應(yīng)于調(diào)試信息請(qǐng)求而輸出調(diào)試信息。
本發(fā)明概念的實(shí)施例進(jìn)一步提供包含以下的非易失性存儲(chǔ)器裝置:信號(hào)存儲(chǔ)電路,存儲(chǔ)從非易失性存儲(chǔ)器裝置的外部接收的控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào);調(diào)試信息產(chǎn)生器,基于所存儲(chǔ)控制信號(hào)和所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生調(diào)試信息;以及調(diào)試信息寄存器,響應(yīng)于非易失性存儲(chǔ)器裝置的外部的調(diào)試信息而輸出調(diào)試信息。
本發(fā)明概念的實(shí)施例又進(jìn)一步提供包含以下的非易失性存儲(chǔ)器封裝:接口芯片,通過(guò)與存儲(chǔ)器控制器連接的外部信道來(lái)接收控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào);第一非易失性存儲(chǔ)器裝置,通過(guò)與接口芯片連接的第一內(nèi)部信道來(lái)接收第一控制信號(hào)和第一數(shù)據(jù)信號(hào);以及第二非易失性存儲(chǔ)器裝置,通過(guò)與接口芯片連接的第二內(nèi)部信道來(lái)接收第二控制信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)。接口芯片包含調(diào)試支持電路,所述調(diào)試支持電路響應(yīng)于來(lái)自存儲(chǔ)器控制器的調(diào)試信息請(qǐng)求而輸出第一調(diào)試信息和第二調(diào)試信息。調(diào)試支持電路從第一控制信號(hào)和第一數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生與第一非易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的第一調(diào)試信息,且從第二控制信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生與第二非易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的第二調(diào)試信息。
附圖說(shuō)明
本發(fā)明概念的以上和其它目標(biāo)和特征如參看附圖鑒于以下詳細(xì)描述將變得顯而易見(jiàn)。
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