[發明專利]一種綠光發光二極管外延片及其制作方法

在審

• 申請號: 201811130743.5
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN109545923A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 郭炳磊;李鵬;胡加輝
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種綠光發光二極管外延片，所述綠光發光二極管外延片包括襯底、N型半導體層、有源層和P型半導體層，所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上；所述有源層包括多個量子阱和多個量子壘，所述多個量子阱和所述多個量子壘交替層疊設置；其特征在于，所述量子阱的材料采用未摻雜的MoS₂，所述量子壘的材料采用未摻雜的In_xAl_1-xN，0＜x＜0.3。

2.根據權利要求1所述的綠光發光二極管外延片，其特征在于，所述量子壘的數量與所述量子阱的數量相同，所述量子阱的數量為3個～8個。

3.根據權利要求1或2所述的綠光發光二極管外延片，其特征在于，所述量子阱的厚度為1nm～2nm。

4.根據權利要求1或2所述的綠光發光二極管外延片，其特征在于，所述量子壘的厚度為10nm～15nm。

5.根據權利要求1或2所述的綠光發光二極管外延片，其特征在于，所述綠光發光二極管外延片還包括電子阻擋層，所述電子阻擋層設置在所述有源層和所述P型半導體層之間；所述電子阻擋層包括多個第一子層和多個第二子層，所述多個第一子層和所述多個第二子層交替層疊設置；所述第一子層的材料采用P型摻雜的Al_yGa_1-yN，0.05＜y＜0.2，所述第二子層的材料采用P型摻雜或未摻雜的In_zGa_1-zN，0.1＜z＜0.5。

6.一種綠光發光二極管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長N型半導體層、有源層和P型半導體層；

其中，所述有源層包括多個量子阱和多個量子壘，所述多個量子阱和所述多個量子壘交替層疊設置；所述量子阱的材料采用未摻雜的MoS₂，所述量子壘的材料采用未摻雜的In_xAl_1-xN，0＜x＜0.3。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述量子阱的生長溫度為600℃～700℃。

8.根據權利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述量子壘的生長溫度為500℃～600℃。

9.根據權利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述量子壘的生長壓力與所述量子阱的生長壓力相同。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述有源層的生長壓力為200torr～500torr。