[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制作方法有效
| 申請號: | 201811129499.0 | 申請日: | 2018-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN109037304B | 公開(公告)日: | 2020-03-27 |
| 發明(設計)人: | 唐岳軍 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制作方法 | ||
本發明提出一種有機發光二極管顯示器,所述有機發光二極管顯示器包括:一基板;一薄膜晶體管元件,設置在所述基板上,其中所述薄膜晶體管元件的柵極與源極和漏極被無機絕緣層隔離;一平坦層,設置在所述薄膜晶體管元件與所述無機絕緣層上;一像素限定層,設置在所述平坦層上,所述像素限定層定義多個像素,每個像素具有多個子像素;一有機發光二極管元件,設置在所述平坦層與所述像素限定層上;及一封裝層,設置在所述有機發光二極管元件上;其中所述無機絕緣層、所述平坦層、所述像素限定層與所述封裝層的無機子層中的一或多種無機材料及所述有機發光二極管元件的陰極包圍所述有機發光二極管顯示器的每個子像素、每個像素、或多個像素。
技術領域
本發明涉及顯示器的技術領域,特別涉及一種有機發光二極管(organic lightemitting diode,OLED)顯示器及其制作方法。
背景技術
有機發光二極管(organic light emitting diode,OLED)顯示器具有寬視角、高對比度和快速響應的優點,因此OLED顯示器的研究與發展廣受到關注。
OLED顯示器的結構主要包括OLED發光元件,OLED發光元件是由陽極、陰極以及設置在陽極和陰極之間的中間層的有機發光材料所構成。在OLED顯示器的制造過程中,需要對OLED發光元件進行一封裝步驟,以阻擋水汽/氧氣進入OLED發光元件內而損壞顯示器壽命。
根據現有技術,封裝方式大致上包括蓋板封裝和薄膜封裝兩種方式。然而,現有技術的薄膜封裝方式仍無法達到良好的阻擋水汽/氧氣侵入OLED發光元件的技術效果。
因此,有必要提供一種有機發光二極管顯示器及其制作方法,以解決現有技術所存在的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種有機發光二極管顯示器及其制作方法,以解決現有技術中阻擋水汽/氧氣侵入OLED發光元件的效果不佳的技術問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種有機發光二極管顯示器,其特征在于,包括:
一基板;
一薄膜晶體管元件,設置在所述基板上,其中所述薄膜晶體管元件的柵極與源極和漏極被無機絕緣層隔離;
一平坦層,設置在所述薄膜晶體管元件與所述無機絕緣層上;
一像素限定層,設置在所述平坦層上,所述像素限定層定義多個像素,每個像素具有多個子像素;
一有機發光二極管元件,設置在所述平坦層與所述像素限定層上;及一封裝層,設置在所述有機發光二極管元件上;
其中所述無機絕緣層、所述平坦層、所述像素限定層與所述封裝層中的一或多種無機材料及所述有機發光二極管元件的陰極包圍所述有機發光二極管顯示器的每個子像素、每個像素、或多個像素。
根據本發明一優選實施例,所述無機材料是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或氧化鋁。
根據本發明一優選實施例,
所述像素限定層由無機材料形成,所述像素限定層具有第一插塞,所述第一插塞通過所述平坦層中過孔而連接至所述無機絕緣層;
所述有機發光二極管顯示器更包括第一連接結構,所述第一連接結構通過所述平坦層中過孔而連接至所述無機絕緣層,所述第一連接結構與所述有機發光二極管元件的陽極具有相同材質;
所述像素限定層由有機材料形成;所述有機發光二極管顯示器更包括第一連接結構,所述第一連接結構通過所述平坦層中過孔而連接至所述無機絕緣層,所述第一連接結構與所述有機發光二極管元件的陽極具有相同材質;所述有機發光二極管元件的陰極具有第二連接結構,所述第二連接結構通過所述像素限定層中過孔而連接至所述第一連接結構的上表面;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





