[發(fā)明專利]多層芯片基板及封裝方法、多功能芯片封裝方法及晶圓

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• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN110957306A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 孫美蘭;黃玲玲
• 申請（專利權）人: 北京萬應科技有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/498;H01L23/31
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標代理有限公司 11012
• 代理人: 黃姝

1.一種多層芯片基板封裝方法，其特征在于，包括：

在可拆分的帶有銅箔的承載板的底部和頂部分別制作線路層；

在所述線路層上制作金屬柱，并在所述金屬柱上制作第一通孔，所述金屬柱與所述線路層電互連；

將微凸塊芯片和大焊球芯片倒裝焊接在所述線路層上，所述微凸塊芯片和所述大焊球芯片置于所述第一通孔內，且所述大焊球芯片覆蓋所述微凸塊芯片的表面，所述金屬柱的高度大于所述大焊球芯片的高度；

將所述微凸塊芯片和所述大焊球芯片埋置在第一有機樹脂層內，得到多層芯片圓片；

切除所述第一有機樹脂層，裸露出所述金屬柱；

制作覆蓋所述第一有機樹脂層的金屬層，并制作至少一層覆蓋所述金屬層的第一內層線路層；

制作覆蓋所述第一內層線路層的第一阻焊層；

在所述承載板的可拆分處將所述多層芯片圓片與所述承載板拆分，并裸露出所述銅箔；

去除所述銅箔，裸露出所述線路層，得到多層芯片基板。

2.如權利要求1所述的多層芯片基板封裝方法，其特征在于，所述在可拆分帶有銅箔的基板的底部和頂部分別制作線路層，具體包括：

在所述承載板的底部和頂部分別制作第二內層線路層，并在所述第二內層線路層上制作穿透所述第二內層線路層的第二通孔，并裸露出所述銅箔；

制作覆蓋所述第二內層線路層的介質層；

在所述第二通孔對應的位置去除所述介質層形成盲孔；

在所述盲孔對應的位置制作至少一層外層線路層，使所述外層線路層與所述第二內層線路層電互連；

制作覆蓋所述外層線路層的第二阻焊層，形成所述線路層。

3.一種多功能芯片封裝方法，其特征在于，包括：

將多功能芯片疊加在使用如權利要求1或2所述的多層芯片基板封裝方法封裝成的所述多層芯片基板的所述線路層上；

制作電互連線，使所述多功能芯片與所述多層芯片基板的所述線路層電連接；

將所述多功能芯片埋置在第二有機樹脂層內，得到多功能芯片圓片。

4.如權利要求3所述的多功能芯片封裝方法，其特征在于，所述多功能芯片包括專用集成電路芯片或者微機電系統(tǒng)芯片。

5.如權利要求3或4所述的多功能芯片封裝方法，其特征在于，所述將所述多功能芯片埋置在第二有機樹脂層內，得到多功能芯片圓片，之后還包括：

在所述多層芯片基板的所述第一阻焊層上制作焊球陣列球。

6.一種多層芯片基板，其特征在于，包括基板組件，所述基板組件包括線路層，所述線路層上設置有金屬柱，所述金屬柱與所述線路層電互連，所述金屬柱上設置有第一通孔，所述第一通孔內倒裝焊接有埋置在第一有機樹脂層內的微凸塊芯片和大焊球芯片，所述大焊球芯片覆蓋所述微凸塊芯片的表面，所述金屬柱的高度大于所述大焊球芯片的高度，在所述第一有機樹脂層上設置金屬層，在所述金屬層上設置有至少一層覆蓋所述金屬層的第一內層線路層，在所述第一內層線路層上設置第一阻焊層。

7.如權利要求6所述的多層芯片基板，其特征在于，所述線路層包括第二內層線路層，所述第二內層線路層上設置有穿透所述第二內層線路層的第二通孔，所述第二內層線路層上設置有覆蓋所述第二內層線路層的介質層，所述介質層與所述第二通孔對應的位置設置有盲孔，在所述盲孔對應的位置設置有至少一層與所述第二內層線路層電互連的外層線路層，在所述外層線路層上設置有覆蓋所述外層線路層的第二阻焊層。

8.如權利要求6或7所述的多層芯片基板，其特征在于，所述多層芯片基板包括至少兩個所述基板組件，相鄰所述基板組件通過可拆分的帶有銅箔的承載板連接。

9.一種多功能芯片晶圓，其特征在于，包括埋置在第二有機樹脂層內的多功能芯片、以及如權利要求6-8任一項所述的多層芯片基板，所述多功能芯片疊加在所述多層芯片基板的所述線路層上，所述多功能芯片通過電互連線與所述多層芯片基板電連接。