[發明專利]基于ZnO/GO復合納米材料拮抗重金屬Cd毒性的方法

有效

• 申請號: 201811126522.0
• 申請日: 2018-09-26
• 公開（公告）號: CN108938666B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 劉赟;許安
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: A61K33/30
• 分類號: A61K33/30;A61K47/04;A61P39/02
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124
• 代理人: 蘇園園

1.一種ZnO/GO復合納米材料在制備拮抗重金屬Cd毒性藥物中的應用，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、ZnO/GO復合納米材料的合成；

步驟二、模型細胞的培養；

步驟三、ZnO/GO復合納米材料與重金屬Cd暴露模型細胞；

步驟四、拮抗效率檢測；

所述步驟一中ZnO/GO復合納米材料的合成包括以下步驟：

①稱取0.25-0.75g乙酸鋅溶解于45-55mL無水乙醇中，75-85℃劇烈攪拌15-25min；

②稱取0.15-0.25g氫氧化鋰溶解于15-25mL無水乙醇中；

③將溶解的氫氧化鋰乙醇溶液加入到25-35mL2mg/mLGO的分散液中；

④待步驟①中的乙酸鋅溶液反應完全，溫度降至45-55℃時，將氫氧化鋰和GO的混合液加入乙酸鋅溶液中，攪拌35-45min，直至反應結束；

⑤反應結束后，加入混合液兩倍體積的正己烷，3-5℃靜置過夜；

⑥離心棄去上清液，使用無水乙醇和超純水分別洗滌材料，離心收集產物，即得。

2.根據權利要求1所述的ZnO/GO復合納米材料在制備拮抗重金屬Cd毒性藥物中的應用，其特征在于，所述步驟三中，ZnO/GO復合納米材料與重金屬Cd暴露模型細胞的方法為方法A：使用DMEM培養基分別將ZnO/GO復合納米材料和重金屬Cd稀釋至1-40μg/mL和0.5-5μg/mL，得到ZnO/GO復合納米材料稀釋液和重金屬Cd稀釋液，將ZnO/GO復合納米材料稀釋液與重金屬Cd稀釋液混合均勻后，暴露模型細胞24h。

3.根據權利要求1所述的ZnO/GO復合納米材料在制備拮抗重金屬Cd毒性藥物中的應用，其特征在于，所述步驟三中，ZnO/GO復合納米材料與重金屬Cd暴露模型細胞的方法為方法B：使用DMEM培養基分別將ZnO/GO復合納米材料和重金屬Cd稀釋至1-40μg/mL和0.5-5μg/mL，得到ZnO/GO復合納米材料稀釋液和重金屬Cd稀釋液，先使用ZnO/GO復合納米材料稀釋液預處理模型細胞1-12h，再加入重金屬Cd稀釋液處理模型細胞。

4.根據權利要求1所述的ZnO/GO復合納米材料在制備拮抗重金屬Cd毒性藥物中的應用，其特征在于，所述步驟三中，ZnO/GO復合納米材料與重金屬Cd暴露模型細胞的方法為方法C：使用DMEM培養基分別將ZnO/GO復合納米材料和重金屬Cd稀釋至1-40μg/mL和0.5-5μg/mL，得到ZnO/GO復合納米材料稀釋液和重金屬Cd稀釋液，先使用重金屬Cd稀釋液預處理模型細胞0.5-4h，再加入濃度為1-40μg/mL的ZnO/GO復合納米材料稀釋液處理模型細胞。

5.根據權利要求1所述的ZnO/GO復合納米材料在制備拮抗重金屬Cd毒性藥物中的應用，其特征在于，所述步驟二中模型細胞為HepG2細胞。

6.根據權利要求5所述的ZnO/GO復合納米材料在制備拮抗重金屬Cd毒性藥物中的應用，其特征在于，所述HepG2細胞的培養方法如下：

將HepG2細胞置于含有10％的胎牛血清、1％青霉素-鏈霉素雙抗的DMEM培養基中，在37℃、5％CO₂濃度的細胞培養箱中培養24h。

7.根據權利要求6所述的ZnO/GO復合納米材料在制備拮抗重金屬Cd毒性藥物中的應用，其特征在于，所述步驟①中稱取0.55g乙酸鋅溶解于50mL無水乙醇中，80℃劇烈攪拌20min；

步驟②中稱取0.2g氫氧化鋰溶解于20mL無水乙醇中；

步驟③中將溶解的氫氧化鋰乙醇溶液加入30mL2mg/mLGO分散液中；

步驟④中待步驟①中的乙酸鋅溶液反應完全，溫度降至50℃時，將氫氧化鋰和GO的混合液加入乙酸鋅溶液中，攪拌40min；

步驟⑤中反應結束后，加入混合液兩倍體積的正己烷，4℃靜置過夜。