[發(fā)明專利]一種IGBT鋁碳化硅散熱基板的阻焊方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811124403.1 | 申請日: | 2018-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN109243984B | 公開(公告)日: | 2020-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉昌濤;陳巧霞;劉棟 | 申請(專利權(quán))人: | 西安明科微電子材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/492 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
| 地址: | 710100 陜西省西安*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 igbt 碳化硅 散熱 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種IGBT鋁碳化硅散熱基板的阻焊方法,將鋁碳化硅基板進(jìn)行表面處理,然后進(jìn)行電鍍鎳,最后對電鍍后的碳化硅基板進(jìn)行激光阻焊,鋁碳化硅激光阻焊時間短,速度快,效率高,適合于大批量生產(chǎn),激光阻焊能夠節(jié)省能源,不對環(huán)境造成污染,成本大幅下降。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于IGBT封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種IGBT鋁碳化硅散熱基板的阻焊方法。
背景技術(shù)
碳化硅增強鋁基復(fù)合材料具有高熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)可調(diào)、高比強度和比剛度、耐磨、耐疲勞、低密度和良好的尺寸穩(wěn)定性等優(yōu)異的力學(xué)和熱物理性能,這些性能夠使得封裝體與芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配,并起到良好的導(dǎo)熱作用,從而解決了電路的熱失效問題,提高了元器件的可靠性和穩(wěn)定性,能夠大幅度提高了各種微波、微電子以及功率器件、光電器件的封裝性能,是惡劣環(huán)境下的首選材料。目前,在歐美等發(fā)達(dá)國家,高體積分?jǐn)?shù)SiC p/Al已率先實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn),其應(yīng)用領(lǐng)域也從軍事、航空航天普及到民用市場,如大功率民用電子、IGBT功率基板、無線基站、汽車電子、高亮度LED等。然而由于鋁碳化硅的特性,在封裝過程中其阻焊方法還局限于油墨阻焊,即用液體油墨印刷到鋁碳化硅散熱板上,然后進(jìn)行烘烤,曝光,顯影等工藝,其開窗尺寸和精度很難保證。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種IGBT鋁碳化硅散熱基板的阻焊方法,提高鋁碳化硅的阻焊效果,降低IGBT封裝成本,提高焊接可靠性。
本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種IGBT鋁碳化硅散熱基板的阻焊方法,將鋁碳化硅基板進(jìn)行表面處理,然后進(jìn)行電鍍鎳,最后對電鍍后的碳化硅基板進(jìn)行激光阻焊。
具體的,包括以下步驟:
S1、將鋁碳化硅基板進(jìn)行表面處理,然后電鍍一層厚度10~25μm的鎳;
S2、調(diào)整激光發(fā)射器功率5~50KW,使激光焦點落在鍍鎳層上;
S3、控制激光刻蝕深度與寬度,將鍍鎳層打掉,露出鋁碳化硅表面鋁層,控制激光刻蝕線條沿芯片邊緣形成一個封閉區(qū)域;
S4、在步驟S3制備的封閉區(qū)域外,用激光刻蝕一個線框,控制激光刻蝕深度,打掉鍍層和鋁層,露出鋁碳化硅層。
進(jìn)一步的,步驟S3中,激光刻蝕深度為12~30μm,寬度為25~40μm。
進(jìn)一步的,步驟S4中,激光刻蝕的深度為30~50μm,激光刻蝕的線框?qū)挾葹?0~40μm。
更進(jìn)一步的,兩個線框的間距為0.5~1.0mm。
進(jìn)一步的,步驟S4中,線框包括多個,在碳化硅基板上構(gòu)成若干阻焊區(qū)域。
具體的,電鍍鎳的厚度為15~25μm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明至少具有以下有益效果:
本發(fā)明一種IGBT鋁碳化硅散熱基板的阻焊方法將鋁碳化硅基板進(jìn)行表面處理,然后進(jìn)行電鍍鎳,最后對電鍍后的碳化硅基板進(jìn)行激光阻焊,鋁碳化硅激光阻焊時間短,速度快,效率高,適合于大批量生產(chǎn),激光阻焊能夠節(jié)省能源,不對環(huán)境造成污染,成本大幅下降。
進(jìn)一步的,本發(fā)明的核心在于制備鋁碳化硅基板時,通過工藝要求控制鋁碳化硅表面鋁層厚度一致,并且整體基板平面度達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求;鍍鎳層的目的在于提高產(chǎn)品的可焊性及耐腐蝕強度,鍍層厚度可以根據(jù)客戶要求進(jìn)行調(diào)節(jié),一般控制在10-25μm之內(nèi)。
進(jìn)一步的,第一步激光刻蝕深度為12~30μm,寬度為25~40μm,目的在于打掉表面鍍鎳層,露出提前設(shè)計好的鋁層,因為鋁層的特殊性,它與焊料潤濕性較差,當(dāng)焊料與鋁層接觸時,在表面張力作用下會形成一個隆起槽樑,阻止焊料向外圍流出。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





