[發(fā)明專利]一種光強(qiáng)可調(diào)的發(fā)光器件的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811124295.8
• 申請(qǐng)日: 2018-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109390439A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙士超;黃鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 朱月芬

本發(fā)明公開(kāi)了一種光強(qiáng)可調(diào)的發(fā)光器件的制備方法，該方法的先取P型碲化銦半導(dǎo)體塊體材料，切合拋光成正方體形狀，邊長(zhǎng)為5毫米；在碲化銦正方體上表面通過(guò)旋涂法涂覆一層硫化鎢單分子層薄膜；碲化銦正方體左側(cè)面連接電源正極，碲化銦正方體右側(cè)面連接電源負(fù)極；輸入直流電壓24V，電流50mA；碲化銦正方體前后側(cè)面之間施加可變磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向?yàn)轫诨熣襟w的反面朝向碲化銦正方體的正面；磁場(chǎng)方向與電流方向垂直，磁場(chǎng)通過(guò)電磁線圈產(chǎn)生，磁場(chǎng)強(qiáng)度可調(diào)變化范圍為±150mT。本發(fā)明制備的器件，具有通過(guò)磁場(chǎng)控制光強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于器件制備領(lǐng)域，具體涉及一種光強(qiáng)可調(diào)的發(fā)光器件的制備方法。

背景技術(shù)

石墨烯、單分子層后過(guò)渡金屬硫族化合物為代表的二維材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)性能，在納米光電子器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。硫化鎢單分子層材料是直接帶隙半導(dǎo)體材料，在外場(chǎng)激發(fā)下能夠發(fā)射出紅色熒光，其發(fā)色機(jī)理部分來(lái)自帶有電荷的激子。這部分帶有電荷的激子形成、存在狀態(tài)與密度受周圍環(huán)境缺陷、帶電電荷的影響。通過(guò)對(duì)周圍環(huán)境中缺陷、帶電電荷的密度的控制能夠?qū)崿F(xiàn)硫化鎢單分子層薄膜材料發(fā)光強(qiáng)度的控制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出了一種光強(qiáng)可調(diào)的發(fā)光器件的制備方法。

本發(fā)明一種光強(qiáng)可調(diào)的發(fā)光器件的制備方法，該方法的具體步驟是：

步驟(1).取P型碲化銦半導(dǎo)體塊體材料，切合拋光成正方體形狀，邊長(zhǎng)為5毫米；

步驟(2).在碲化銦正方體上表面通過(guò)旋涂法涂覆一層硫化鎢單分子層薄膜；

步驟(3).碲化銦正方體左側(cè)面連接電源正極，碲化銦正方體右側(cè)面連接電源負(fù)極；輸入直流電壓24V，電流50mA；

步驟(4).碲化銦正方體前后側(cè)面之間施加可變磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向?yàn)轫诨熣襟w的反面朝向碲化銦正方體的正面；磁場(chǎng)方向與電流方向垂直，磁場(chǎng)通過(guò)電磁線圈產(chǎn)生，磁場(chǎng)強(qiáng)度可調(diào)變化范圍為±150mT。

所述的硫化鎢單分子層薄膜溶液采用市售產(chǎn)品。

所述的P型碲化銦半導(dǎo)體塊體材料用硅半導(dǎo)體材料替代。

步驟(2)中的硫化鎢單分子層薄膜采用化學(xué)氣相沉積法制備的硫化鎢單分子層通過(guò)適當(dāng)轉(zhuǎn)移方法轉(zhuǎn)移至碲化銦表面。

本發(fā)明制備的光強(qiáng)可調(diào)的發(fā)光器件，通過(guò)調(diào)控產(chǎn)生磁場(chǎng)的電磁線圈的電流大小改變磁場(chǎng)強(qiáng)度，再通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度大小的改變來(lái)調(diào)控發(fā)光器件的發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明制備的器件，具有通過(guò)磁場(chǎng)控制光強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的光強(qiáng)可調(diào)的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示；本發(fā)明一種光強(qiáng)可調(diào)的發(fā)光器件的制備方法，該方法的具體步驟是：

步驟(1).取P型碲化銦半導(dǎo)體塊體材料，切合拋光成正方體形狀，邊長(zhǎng)為5毫米；

步驟(2).在碲化銦正方體上表面通過(guò)旋涂法涂覆一層硫化鎢單分子層薄膜；所述的硫化鎢單分子層薄膜溶液采用市售產(chǎn)品。

步驟(3).碲化銦正方體左側(cè)面連接電源正極，碲化銦正方體右側(cè)面連接電源負(fù)極；輸入直流電壓24V，電流50mA；

步驟(4).碲化銦正方體前后側(cè)面之間施加可變磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向?yàn)轫诨熣襟w的反面朝向碲化銦正方體的正面；磁場(chǎng)方向與電流方向垂直，磁場(chǎng)通過(guò)電磁線圈產(chǎn)生，磁場(chǎng)強(qiáng)度可調(diào)變化范圍為±150mT；通過(guò)調(diào)節(jié)磁場(chǎng)強(qiáng)度的大小實(shí)現(xiàn)發(fā)光強(qiáng)度的可控變化。