[發明專利]一種光探測器原型器件的制備方法

有效

• 申請號: 201811124266.1
• 申請日: 2018-09-26
• 公開（公告）號: CN109346611B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 呂燕飛;徐竹華;趙士超
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 朱月芬

1.一種光探測器原型器件的制備方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：

步驟(1)、通過化學氣相沉積法在銅薄膜表面生長單原子層厚度的石墨烯薄膜；

步驟(2)、步驟(1)的產物放入180℃的烘箱中，烘箱中的濕度通過加濕器控制在濕度為80％；放置12小時后取出；產物結構為中間夾有氧化亞銅的三明治結構，Cu/Cu₂O/Gr；

步驟(3)、在石墨烯表面通過旋涂法涂覆一層聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸薄膜，旋涂轉速為3000轉/分鐘；PEDOT:PSS薄膜厚度為20nm；形成Cu/Cu₂O/Gr/PEDOT:PSS疊層結構；其中聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸薄膜即PEDOT:PSS薄膜；

步驟(4)、在PEDOT:PSS薄膜表面繼續通過旋涂法涂覆一層聚乙烯基咔唑薄膜；其中聚乙烯基咔唑薄膜為將聚乙烯基咔唑溶解于氯仿溶液中，濃度為0.02g/ml；旋涂轉速為4000轉/分鐘；聚乙烯基咔唑薄膜厚度為20nm；形成Cu/Cu₂O/Gr/PEDOT:PSS/PVK疊層結構；其中PVK即聚乙烯基咔唑；

步驟(5)、在Cu/Cu₂O/Gr/PEDOT:PSS/PVK疊層結構的PVK上表面通過熱蒸發法沉積金屬金電極。

2.根據權利要求1所述的一種光探測器原型器件的制備方法，其特征在于：步驟(1)具體為取正方形銅薄膜，放入CVD系統中的石英管中，向石英管中通入氫氣，氫氣流速為20sccm；石英管從室溫加熱至1000℃，升溫速率20℃/min；向石英管中通入甲烷，甲烷流速100sccm；在1000℃保溫40min后，石英管快速降溫至600℃，降溫速率200℃/min，600℃后石英管自然降至室溫，停止通入甲烷氣體、氫氣氣體；獲得生長在金屬銅表面的單原子層厚的石墨烯(Gr)；產物結構為Cu/Gr。