[發明專利]工藝氣體流量補償的裝置及方法、半導體處理設備有效
| 申請號: | 201811123377.0 | 申請日: | 2018-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN110957235B | 公開(公告)日: | 2023-03-21 |
| 發明(設計)人: | 胡云龍 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工藝 氣體 流量 補償 裝置 方法 半導體 處理 設備 | ||
1.一種工藝氣體流量補償的裝置,其特征在于,所述裝置包括工藝管路以及依次串接在所述工藝管路并選擇性連通的氣源罐、初級流量計、緩存罐和次級流量計;其中,所述氣源罐的容積為指定值,用于通過加熱產生飽和蒸氣;所述裝置還包括壓力計以及與所述壓力計電連接的控制器;其中,
所述壓力計,用于實時檢測所述緩存罐內的氣體壓力實際值,并將所述氣體壓力實際值發送至所述控制器;
所述控制器,用于將所述氣體壓力實際值與預設的氣體壓力標準值進行比較,并根據比較結果,調整所述初級流量計的氣體流量設定值,以使得所述氣體壓力實際值與所述氣體壓力標準值一致。
2.根據權利要求1所述的工藝氣體流量補償的裝置,其特征在于,當所述氣體壓力實際值小于所述氣體壓力標準值時,增大所述初級流量計的氣體流量設定值;
當所述氣體壓力實際值大于所述氣體壓力標準值時,減小所述初級流量計的氣體流量設定值。
3.根據權利要求2所述的工藝氣體流量補償的裝置,其特征在于,所述初級流量計的流量設定值、所述次級流量計的流量設定值、所述氣體壓力實際值和所述氣體壓力標準值之間滿足下述關系式:
當G<T時,A2=A1+(T-G)*K1;
當G>T時,A2=A1-(G-T)*K2;
當G=T時,A2=A1;
其中,G為所述氣體壓力實際值,T為所述氣體壓力標準值,A2為所述初級流量計的流量設定值,A1為所述次級流量計的流量設定值,K1和K2均為補償比例系數。
4.根據權利要求3所述的工藝氣體流量補償的裝置,其特征在于,所述初級流量計與所述次級流量計的型號相同,補償系數K1和補償系數K2相同。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的工藝氣體流量補償的裝置,其特征在于,所述裝置還包括溫度計和加熱器,所述溫度計與所述控制器電連接;其中,
所述溫度計,用于實時測量所述緩存罐內的氣體溫度實際值,并將所述氣體溫度實際值發送至所述控制器;
所述控制器,還用于將所述氣體溫度實際值與預設的氣體溫度標準值進行比較,并根據比較結果,調整加熱器的輸出功率,以使得所述氣體溫度實際值與所述氣體溫度標準值一致。
6.根據權利要求5所述的工藝氣體流量補償的裝置,其特征在于,所述溫度計包括熱電偶,所述熱電偶插置在所述緩存罐內部;
所述加熱器包括加熱棒,所述加熱棒插置在所述緩存罐內部。
7.一種工藝氣體流量補償的方法,其特征在于,采用權利要求1至6中任意一項所述的工藝氣體流量補償的裝置,所述方法包括:
步驟S110、所述壓力計實時檢測所述緩存罐內的氣體壓力實際值,并將所述氣體壓力實際值發送至所述控制器;
步驟S120、所述控制器將所述氣體壓力實際值與預設的氣體壓力標準值進行比較,并根據比較結果,調整所述初級流量計的氣體流量設定值,以使得所述氣體壓力實際值與所述氣體壓力標準值一致。
8.根據權利要求7所述的工藝氣體流量補償的方法,其特征在于,步驟S120具體包括:
當所述氣體壓力實際值小于所述氣體壓力標準值時,增大所述初級流量計的氣體流量設定值;
當所述氣體壓力實際值大于所述氣體壓力標準值時,減小所述初級流量計的氣體流量設定值。
9.根據權利要求8所述的工藝氣體流量補償的方法,其特征在于,所述初級流量計的流量設定值、所述次級流量計的流量設定值、所述氣體壓力實際值和所述氣體壓力標準值之間滿足下述關系式:
當G<T時,A2=A1+(T-G)*K1;
當G>T時,A2=A1-(G-T)*K2;
當G=T時,A2=A1;
其中,G為所述氣體壓力實際值,T為所述氣體壓力標準值,A2為所述初級流量計的流量設定值,A1為所述次級流量計的流量設定值,K1和K2均為補償比例系數。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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