[發明專利]數據存儲電路及數據讀寫方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201811123121.X
• 申請日: 2018-09-26
• 公開（公告）號: CN109300499B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 劉影;陳志龍;沈祥凱;崔錣奎;劇永波;金賢鎮;申澈;唐歡;李小華;黎文秀;彭利滿;徐海峰;簡月圓;王靜;朱芳;劉春景;劉國鋒;張群立
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李莎

本發明公開了一種數據存儲電路，包括至少一個阻變單元；在經過不同電流的置位過程后，所述阻變單元能夠形成不同的電阻值以作為數據進行存儲。本發明還公開了一種陣列基板、顯示裝置和數據寫入方法、數據讀取方法。本發明提供的數據存儲電路及其數據讀寫方法、陣列基板、顯示裝置，能夠解決現有的生產信息設置困難或讀取困難的問題。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種數據存儲電路及其數據讀寫方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

目前液晶顯示器在顯示面板工廠的生產過程中，通常會通過激光標識金屬膜層(二維碼)等方式記錄面板ID信息；但在顯示面板減薄后，由于凹點/臟污等外觀原因，導致在顯示模組工廠無法正常讀取面板ID信息。

但是，前述的二維碼因為讀取方式的原因，必須暴露出來，而不能隱藏在顯示面板中，使得需要在顯示面板上額外留出設置二維碼的位置。而現在的顯示器產品在設計時，越來越追求窄邊框化，部分產品由于邊框過窄，導致前述的二維碼無法在窄邊框上進行放置，或者雖能放置但是二維碼讀取較為困難等問題。

同時，在模組生產過程中，模組工廠也需要通過生成模組ID信息的形式記錄模組生產數據；如果沒有實時記錄生產信息(如不良(NG)、良品(OK)、NG位置、NG原因、傳感器(Sensor)數據等)的功能，客戶端發生的不良品則很難追溯生產源頭。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例的目的之一在于，提出一種數據存儲電路及其數據讀寫方法、陣列基板、顯示裝置，能夠解決現有的生產信息設置困難或讀取困難的問題。

基于上述目的，本發明實施例的第一個方面，提供了一種數據存儲電路，包括至少一個阻變單元；在經過不同電流的置位過程后，所述阻變單元能夠形成不同的電阻值以作為數據進行存儲。

可選的，所述數據存儲電路，包括至少一個存儲單元；所述存儲單元包括至少一個薄膜晶體管和至少一個所述阻變單元；所述阻變單元在所述薄膜晶體管的開關控制下完成數據寫入和/或讀取。

可選的，所述存儲單元包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第一阻變單元和第二阻變單元；所述第一薄膜晶體管的控制極和第二薄膜晶體管的第一極均連接第一信號線，所述第二薄膜晶體管的控制極和第一薄膜晶體管的第一極均連接第二信號線，所述第一薄膜晶體管的第二極連接所述第一阻變單元的第一端，所述第二薄膜晶體管的第二極連接所述第二阻變單元的第一端，所述第一阻變單元的第二端和所述第二阻變單元的第二端均連接第三信號線。

可選的，所述數據存儲電路包括N行M列的存儲單元陣列；其中，同一列存儲單元的第一薄膜晶體管的控制極和第二薄膜晶體管的第一極均連接同一條信號線，同一行存儲單元的第二薄膜晶體管的控制極和第一薄膜晶體管的第一極均連接同一條信號線，同一列的第一阻變單元的第二端均連接同一條信號線，同一行的第二阻變單元的第二端均連接同一條信號線。

可選的，所述薄膜晶體管包括柵絕緣層和源漏極，所述阻變單元包括金屬基底、絕緣層和金屬電極；所述柵絕緣層與所述阻變單元的絕緣層為同一層，所述源漏極所在的膜層與所述金屬電極為同一層或與所述金屬基底為同一層。

可選的，所述阻變單元包括金屬基底、絕緣層和金屬電極；所述金屬基底的制作材料為Al、Cu、Ti或Mo，所述絕緣層的制作材料為氧化硅，所述金屬電極的制作材料為Al、Cu、Ti或Mo。

本發明實施例的第二個方面，提供了一種陣列基板，包括如前任一項所述的數據存儲電路，所述數據存儲電路用于存儲所述陣列基板的生產信息。

可選的，所述陣列基板用于與彩膜基板對盒形成液晶盒，所述彩膜基板包括第一遮光層和色阻，所述第一遮光層用于遮擋除通過所述色阻之外的其他光線；在所述陣列基板與彩膜基板對盒后，所述數據存儲電路位于所述第一遮光層的正投影中。