[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號: | 201811120882.X | 申請日: | 2018-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN109560018B | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發明(設計)人: | 古矢正明;山崎克弘;森秀樹;林航之介 | 申請(專利權)人: | 芝浦機械電子裝置股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;鄧毅 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發明提供基板處理裝置和基板處理方法,能夠按照每種處理液實現分離回收。基板處理裝置將多種處理液依次供給來處理基板,具有:保持著基板(12)旋轉的基板旋轉構件;向通過基板旋轉構件旋轉的基板供給處理液的噴嘴;設在基板周圍而接收從基板飛散的處理液的杯體(51);與杯體接收的處理液的種類對應地供來自杯體的處理液流過的各種回收配管(55);轉動構件,其使杯體水平轉動而將杯體切換到與處理液的種類相對應的回收配管所位于的方向;以及升降構件,其使杯體沿上下方向升降而切換為如下的高度位置:通過轉動構件使杯體和與處理液的種類對應的回收配管相連通的第1高度位置;和使杯體接收的處理液流到廢液路徑(61)中的第2高度位置。
技術領域
本發明涉及向旋轉的基板供給處理液來進行基板處理的基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術
作為半導體晶片或光掩膜用玻璃基板的表面處理裝置,從提高表面處理的均勻性、再現性的觀點出發,傾向于采用一片一片地處理基板的單片方式。在單片方式的基板處理裝置中,一邊使水平保持的基板繞其中心軸旋轉(spin),一邊將例如藥液等處理液供給至基板的表面中央。供給至基板的處理液由于離心力而擴展至基板的整個表面。由此,進行基板整體的處理。當規定的藥液處理結束時,進行用于通過沖洗液對殘留于基板表面的藥液進行沖洗的沖洗處理。與上述相同地對旋轉的基板進行沖洗處理,在沖洗處理結束后,使基板高速旋轉,進行基板的干燥處理。
在上述的單片方式的基板處理裝置中,旋轉的基板上的處理液(藥液或沖洗液等)由于離心力而從基板端(基板的外周緣)或對基板進行保持的旋轉體的旋轉體端向基板外飛散。飛散的處理液集中在處理槽內的規定區域而成為廢液,或者為了再利用而被回收(例如,參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本實用新型注冊第2533339號公報
在專利文獻1所記載的基板的旋轉處理裝置中,在被設置成覆蓋旋轉卡盤周圍的內容器的底部上形成有排液口,在與該排液口對置的位置,能夠旋轉地設置有桶部件,通過使該桶部件旋轉,使處于桶部件下部的1個廢液流出口選擇性地與設置于外容器上的多個排泄口(回收通道)中的1個對置,由此,能夠實現多種處理液的分離回收。
可是,在專利文獻1所記載的基板的旋轉處理裝置中,在伴隨著處理液的切換使桶部件旋轉而將廢液流出口定位在與規定的排泄口對置的位置時,廢液流出口有時會在其它排泄口的上方通過。由于至此為止所使用的處理液殘留于桶部件,因此,具有如下危險性:該殘留液浸入本來的排泄口之外的排泄口中。如果處理液混入,則會對基于分離回收的處理液再利用產生障礙。
發明內容
本發明的目的在于,提供能夠高效地進行多種處理液的分離回收的基板處理裝置和基板處理方法。
為了解決上述課題,本發明的基板處理裝置構成為,將多種處理液依次供給到基板上來處理基板,其中,所述基板處理裝置具有:基板旋轉構件,其保持著所述基板進行旋轉;處理液供給構件,其對借助所述基板旋轉構件旋轉的所述基板供給處理液;杯體,其設置于所述基板的周圍,接收從所述基板飛散的所述處理液;各種回收通道,它們與所述杯體接收的處理液的種類對應地供來自所述杯體的所述處理液流過;轉動構件,其使所述杯體水平轉動,將所述杯體切換到與所述處理液的種類相對應的回收通道所位于的方向;以及升降構件,其使所述杯體沿上下方向升降而切換為第1高度位置和第2高度位置,其中,所述第1高度位置是通過所述轉動構件使所述杯體和與所述處理液的種類對應的回收通道相連通的高度位置,所述第2高度位置是使所述杯體接收的所述處理液流到廢液通道中的高度位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





