[發明專利]復合元件

有效

• 申請號: 201811120744.1
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109560790B
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發明（設計）人: 谷口康政;大村正志;山根毅
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樸云龍

本發明提供一種在構成有半導體元件的硅基板上設置有彈性波元件且彈性波元件的特性不易劣化的復合元件。復合元件(10)具備：硅基板(3)，具有相互對置的第一主面(3a)以及第二主面(3b)；半導體元件(2)，在硅基板(3)的第一主面(3a)側以及第二主面(3b)側中的至少一方構成；以及彈性波元件(1)，具有直接或間接地設置在硅基板(3)的第一主面(3a)上的氧化硅膜(4)、直接設置在氧化硅膜(4)上的壓電體層(5)、以及設置在壓電體層(5)上的IDT電極(6)。在將由IDT電極(6)的電極指間距規定的波長設為λ時，壓電體層(5)的厚度為2.5λ以下。

技術領域

本發明涉及復合元件。

背景技術

以往，在便攜式電話機的RF前端部中，多數情況下將功率放大器、低噪聲放大器、開關等半導體元件和利用了彈性波的RF濾波器、雙工器等彈性波元件模塊化。在下述的專利文獻1公開了具有半導體元件以及聲表面波元件的復合元件的一個例子。在該復合元件中，在包含Si(硅)的半導體基板中，構成有作為半導體元件的FET(Field EffectTransistor，場效應晶體管)。在上述半導體基板上，設置有聲表面波元件。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平6-120416號公報

半導體元件是有源元件，是在驅動時發熱的器件。此外，聲表面波元件等彈性波元件在驅動時也發熱，主要是設置有IDT電極的部分發熱。因此，在像專利文獻1記載的復合元件那樣在包含硅的構成有半導體元件的半導體基板上設置有彈性波元件的情況下，雖然能夠小型化，但是不僅在彈性波元件自身中產生的熱施加于彈性波元件，而且在半導體元件中產生的熱也施加于彈性波元件。因此，彈性波元件的頻率、插入損耗由于熱而變動，從而有時接收靈敏度等特性會劣化。

發明內容

發明要解決的課題

本發明的目的在于，提供一種在構成有半導體元件的硅基板上設置有彈性波元件且彈性波元件的特性不易劣化的復合元件。

用于解決課題的技術方案

本發明涉及的復合元件具備：硅基板，具有相互對置的第一主面以及第二主面；半導體元件，在所述硅基板的所述第一主面側以及所述第二主面側中的至少一方構成；以及彈性波元件，具有氧化硅膜、壓電體層、以及IDT電極，所述氧化硅膜直接或間接地設置在所述硅基板的所述第一主面上，所述壓電體層直接設置在所述氧化硅膜上，所述IDT電極設置在所述壓電體層上，在將由所述IDT電極的電極指間距規定的波長設為λ時，所述壓電體層的厚度為2.5λ以下。

在本發明涉及的復合元件的某個特定的方面中，設置有與所述IDT電極電連接且貫通所述硅基板的貫通電極。在該情況下，能夠經由貫通電極將在彈性波元件中產生的熱迅速地向硅基板側以及外部進行散熱。因此，在彈性波元件中產生的熱不易傳播到半導體元件。因此，半導體元件的特性不易劣化。

在本發明涉及的復合元件的另一個特定的方面中，所述彈性波元件具有與所述IDT電極電連接的第一布線電極，所述半導體元件具有功能電極以及與所述功能電極電連接的第二布線電極，所述第一布線電極和所述第二布線電極在俯視下不重疊。在該情況下，不易產生寄生電容，能夠使彈性波元件以及半導體元件的特性更加不易劣化。

在本發明涉及的復合元件的又一個特定的方面中，在所述硅基板的所述第一主面側構成有所述半導體元件，在所述硅基板的所述第二主面上，且在俯視下至少與所述半導體元件重疊的部分，設置有屏蔽電極。在該情況下，半導體元件的特性不易劣化。

在本發明涉及的復合元件的另一個特定的方面中，所述硅基板具有在所述第一主面側開口的凹部，所述半導體元件構成在所述凹部內，所述氧化硅膜設置為覆蓋所述凹部以及所述半導體元件。在該情況下，無需另外設置覆蓋半導體元件的保護膜。因此，能夠提高生產率，且半導體元件不易破損。