[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811119902.1
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109801973B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 貴炳強(qiáng);曲連杰;齊永蓮;趙合彬;邱云
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 劉小鶴

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

層疊設(shè)置在襯底基板上的高織構(gòu)介電層、有源層、柵極和源漏極，所述源漏極包括源極和漏極，所述柵極與所述有源層絕緣設(shè)置，所述源極和所述漏極分別與所述有源層電連接；

其中，所述高織構(gòu)介電層的組成微粒的晶向指數(shù)與單晶硅的晶向指數(shù)相同，所述高織構(gòu)介電層的制備材料包括氧化鎂或摻雜有釔的氧化鋯中的任意一種，所述高織構(gòu)介電層起到緩沖層和誘導(dǎo)模板層的作用，所述誘導(dǎo)模板層用于誘導(dǎo)所述有源層的組成微粒生長時(shí)以指定晶向指數(shù)結(jié)晶，所述有源層為由類單晶硅結(jié)構(gòu)材料組成的半導(dǎo)體膜層，所述有源層為對經(jīng)過脫氫處理后的非晶硅層進(jìn)行晶化處理轉(zhuǎn)化而成；

所述薄膜晶體管還包括第一柵絕緣層和第二柵絕緣層；

所述第一柵絕緣層位于所述有源層和所述柵極之間，所述第二柵絕緣層位于所述柵極和所述源漏極之間，所述第一柵絕緣層與所述柵極通過一次構(gòu)圖工藝形成。

2.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成高織構(gòu)介電層；

在形成有所述高織構(gòu)介電層的襯底基板上形成非晶硅層；

對所述非晶硅層進(jìn)行晶化處理，使所述非晶硅層轉(zhuǎn)換為由類單晶硅結(jié)構(gòu)材料組成的半導(dǎo)體膜層，以生成有源層，所述有源層為對經(jīng)過脫氫處理后的非晶硅層進(jìn)行晶化處理轉(zhuǎn)化而成；

在形成有所述有源層的襯底基板上形成柵極和源漏極，所述源漏極包括源極和漏極，所述柵極與所述有源層絕緣設(shè)置，所述源極和所述漏極分別與所述有源層電連接；

其中，所述高織構(gòu)介電層的組成微粒的晶向指數(shù)與單晶硅的晶向指數(shù)相同，所述高織構(gòu)介電層的制備材料包括氧化鎂或摻雜有釔的氧化鋯中的任意一種，所述高織構(gòu)介電層起到緩沖層和誘導(dǎo)模板層的作用，所述誘導(dǎo)模板層用于誘導(dǎo)所述有源層的組成微粒生長時(shí)以指定晶向指數(shù)結(jié)晶，

所述在形成有所述有源層的襯底基板上形成柵極和源漏極，包括：在形成有所述有源層的襯底基板上形成第一柵絕緣層；在形成有所述第一柵絕緣層的襯底基板上形成所述柵極，其中，所述第一柵絕緣層與所述柵極通過一次構(gòu)圖工藝形成；在形成有所述柵極的襯底基板上形成第二柵絕緣層；在形成所述第二柵絕緣層的襯底基板上形成所述源漏極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述高織構(gòu)介電層的襯底基板上形成非晶硅層，包括：

在所述高織構(gòu)介電層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一面上沉積非晶硅材料，以形成所述非晶硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述非晶硅層進(jìn)行晶化處理，包括：

通過準(zhǔn)分子激光退火工藝對所述非晶硅層進(jìn)行晶化處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成高織構(gòu)介電層，包括：

通過電子束蒸發(fā)工藝或離子束沉積工藝在所述襯底基板上形成所述高織構(gòu)介電層。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括：如權(quán)利要求6所述的陣列基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置為液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、量子點(diǎn)發(fā)光二極管顯示器或傳感器。