[發明專利]壓力傳感器及其制備方法

在審

• 申請號: 201811119704.5
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109211444A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 呂元杰;宋旭波;譚鑫;韓婷婷;周幸葉;馮志紅;梁士雄
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G01L1/16
• 分類號: G01L1/16
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 王麗巧

1.一種壓力傳感器，其特征在于，包括：硅襯底層、GaN外延層、壓力測試電路、電路引腳和介質層；

所述GaN外延層在所述硅襯底層上外延生長而成，所述GaN外延層上設有檢測區，所述壓力測試電路位于所述GaN外延層上的檢測區內，所述電路引腳位于所述GaN外延層上的檢測區外，所述介質層在所述GaN外延層上沉積而成并覆蓋所述壓力測試電路；所述硅襯底層設有通孔，所述通孔的橫截面和檢測區形狀相同，所述通孔和檢測區相對應。

2.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述介質層厚度為10nm至10⁵nm。

3.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述GaN外延層的厚度為100nm至5×10⁶nm。

4.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述硅襯底層上的通孔采用干法或濕法工藝刻蝕而成。

5.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述壓力測試電路由電阻、電容、二極管和三極管中任意一種或多種組合而成。

6.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述介質層為SiO₂或SiN。

7.一種基于權利要求1至6中任意一項所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，包括：

在硅襯底層上外延生長GaN外延層，并在GaN外延層上劃分檢測區；

在GaN外延層上制作壓力測試電路和電路引腳，所述壓力測試電路位于所述檢測區內，所述電路引腳位于所述檢測區外；

在GaN外延層上沉積介質層，所述介質層覆蓋所述測試電路和所述電路引腳；

對硅襯底層進行刻蝕至GaN外延層形成通孔，所述通孔和檢測區對應；

對介質層進行刻蝕露出所述電路引腳。

8.根據權利要求7所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，利用干法或濕法工藝刻蝕所述介質層使所述電路引腳露出。

9.根據權利要求7所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述GaN外延層的厚度為100nm至5×10⁶nm。

10.根據權利要求7所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述介質層厚度為10nm至10⁵nm。