[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 201811117301.7 | 申請日： | 2018-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN109599383A | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 土持真悟 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 孫蕾 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣基板 金屬層 半導體元件 半導體裝置 絕緣層 密封體 配置 密封 平坦 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
第1絕緣基板，在絕緣層的兩面分別設置有金屬層；
第1半導體元件，配置于所述第1絕緣基板的一側的金屬層上；
第2絕緣基板，在絕緣層的兩面分別設置有金屬層；
第2半導體元件，配置于所述第2絕緣基板的一側的金屬層上；以及
密封體，密封所述第1半導體元件以及所述第2半導體元件，
所述第1絕緣基板的另一側的金屬層以及所述第2絕緣基板的另一側的金屬層在所述密封體的平坦的第1表面露出。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還具備：
第3絕緣基板，在絕緣層的兩面分別設置有金屬層；以及
第4絕緣基板，在絕緣層的兩面分別設置有金屬層，
所述第3絕緣基板隔著所述第1半導體元件而與所述第1絕緣基板相對置，并且一側的金屬層電連接于所述第1半導體元件，
所述第4絕緣基板隔著所述第2半導體元件而與所述第2絕緣基板相對置，并且一側的金屬層電連接于所述第2半導體元件，
所述第3絕緣基板的另一側的金屬層以及所述第4絕緣基板的另一側的金屬層在所述密封體的位于與所述第1表面相反一側的平坦的第2表面露出。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，還具備：
第1導體隔件，配置于所述第1半導體元件與所述第3絕緣基板之間；以及
第2導體隔件，配置于所述第2半導體元件與所述第4絕緣基板之間，
所述第1導體隔件以及所述第2導體隔件的各線膨脹系數比所述第1絕緣基板以及所述第2絕緣基板的所述金屬層的線膨脹系數小，且比所述密封體的線膨脹系數小。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，
所述第1絕緣基板以及所述第2絕緣基板的所述金屬層的材料為銅，
所述第1導體隔件以及所述第2導體隔件的材料為銅-鉬合金或者銅-鎢合金。
5.根據權利要求1至4中的任意一項所述的半導體裝置，其中，
在所述第1絕緣基板和所述第2絕緣基板中的至少一方，所述一側的金屬層的厚度比所述另一側的金屬層的厚度大。
6.根據權利要求1至4中的任意一項所述的半導體裝置，其中，
在所述第1絕緣基板和所述第2絕緣基板中的至少一方，所述另一側的金屬層的厚度比所述一側的金屬層的厚度大。
7.根據權利要求1至4中的任意一項所述的半導體裝置，其中，
在所述第1絕緣基板和所述第2絕緣基板中的至少一方，所述一側的金屬層的厚度與所述另一側的金屬層的厚度相等。
8.根據權利要求1至7中的任意一項所述的半導體裝置，其中，
所述第1絕緣基板和所述第2絕緣基板中的至少一方為DBC基板。
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