[發明專利]磁盤驅動器懸架的電路構件

有效

• 申請號: 201811117140.1
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109637556B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 山田幸惠
• 申請（專利權）人: 日本發條株式會社
• 主分類號: G11B5/48
• 分類號: G11B5/48
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 董科

1.一種磁盤驅動器懸架的電路構件(30)，包括：

一金屬基底(25)；

一絕緣層(70)，其在金屬基底(25)上形成，所述絕緣層(70)由電絕緣材料形成；

一導體(71)，其在所述絕緣層(70)上形成；

一覆蓋層(75)，其覆蓋所述導體(71)，所述覆蓋層(75)由電絕緣材料形成；和

一端子部分(80)，包括：

一厚部分(90)，其在所述絕緣層(70)的一部分上形成；

絕緣層延伸部分(70b)從厚部分(90)向絕緣層(70)的邊緣(70a)延伸；

一導體凸起部分(91)，其是所述導體(71)的一部分，且與所述厚部(90)重疊；

一導體延伸部分(92)，從所述導體凸起部分(91)沿著所述絕緣層延伸部(70b)向所述絕緣層(70)的所述邊緣(70a)延伸；和

一階梯式側面焊盤(100)，包括一第一表面(101)，所述第一表面(101)沿所述導體延伸部分(92)的方向延伸；以及一第二表面(102)，所述第二表面沿著所述導體凸起部分(91)的側表面在所述導體延伸部分(92)的厚度方向上從所述第一表面(101)上升；

其特征在于，

所述絕緣層(70)的所述邊緣(70a)相對于所述導體延伸部分(92)的邊緣(92a)位于內側，而所述金屬基底(25)的邊緣(25a)相對于所述絕緣層(70)的所述邊緣(70a)位于所述內側，且所述電路構件(30)包括在所述絕緣層(70)的端部上的所述絕緣層延伸部分(70b)。

2.根據權利要求1所述的電路構件(30)，其特征在于，還包括一開口(120)，在所述覆蓋層(75)中形成所述開口(120)，并且在與所述導體凸起部分(91)對應的位置處打開；和

一上表面焊盤(122)，其在所述開口內在所述導體凸起部分(91)上形成。

3.根據權利要求1所述的電路構件(30)，其特征在于，所述階梯式側面焊盤(100)的第一表面(101)包括支撐電子元件的定位部分(111)。

4.根據權利要求2所述的電路構件(30)，其特征在于，所述階梯式側面焊盤(100)的第一表面(101)包括支撐電子元件的定位部分(111)。

5.一種磁盤驅動器懸架的電路構件(30)，包括：

一金屬基底(25)；

一絕緣層(70)，其在金屬基底(25)上形成，所述絕緣層(70)由電絕緣材料形成；

一導體(71)，其在所述絕緣層(70)上形成；

一覆蓋層(75)，其覆蓋所述導體(71)，所述覆蓋層(75)由電絕緣材料形成；和

一端子部分(80)，包括：

一厚部分(90)，其在所述絕緣層(70)的一部分上形成；

絕緣層延伸部分(70b)從厚部分(90)向絕緣層(70)的邊緣(70a)延伸；

一導體凸起部分(91)，其是所述導體(71)的一部分，且與所述厚部(90)重疊；

一導體延伸部分(92)，從所述導體凸起部分(91)沿著所述絕緣層延伸部(70b)向所述絕緣層(70)的所述邊緣(70a)延伸；和

一階梯式側面焊盤(100)，包括一第一表面(101)，所述第一表面(101)沿所述導體延伸部分(92)的方向延伸；以及一第二表面(102)，所述第二表面沿著所述導體凸起部分(91)的側表面在所述導體延伸部分(92)的厚度方向上從所述第一表面(101)上升；

其特征在于，

所述絕緣層(70)的所述邊緣(70a)比所述導體延伸部分(92)的邊緣(92a)更向外側延伸，所述金屬基底(25)的邊緣(25a)比所述絕緣層(70)的所述邊緣(70a)更向外側延伸，并且所述電路構件(30)包括一金屬基底延伸部分(25b)，所述金屬基底延伸部分(25b)支撐在所述金屬基底(25)的端部處的所述絕緣層(70)的所述邊緣(70a)和所述導體延伸部分(92)的所述邊緣(92a)。