[發明專利]重新布線結構及其制造方法和半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201811116166.4
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109326531B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 呂凌劍;邵永軍
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種重新布線結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有第一焊盤的襯底；

形成第一介電質層于所述襯底上，所述第一介電質層暴露出所述第一焊盤的部分或全部的頂表面；

形成重布線金屬層于所述第一焊盤的頂表面上，所述重布線金屬層還延伸至所述第一介電質層的部分頂表面上；以及，

形成第二介電質層于所述重布線金屬層和所述第一介電質層上，所述第二介電質層具有分別暴露出所述重布線金屬層不同位置的頂表面的多個開口，每個開口底部暴露出的所述重布線金屬層作為一個第二焊盤，所述重布線金屬層與所述第一焊盤電接觸，以使得所述第二焊盤與所述第一焊盤電連接；并且，與每個所述第一焊盤電連接的多個所述第二焊盤中，至少一個所述第二焊盤位于半導體器件的外圍，且位于所述半導體器件的外圍的所有的所述第二焊盤與所述半導體器件的中心之間的距離相等，每個位于靠近所述半導體器件的中心位置的所述第二焊盤通過所述重布線金屬層中的互連線與位于所述半導體器件的外圍的相應的所述第二焊盤連接，以使得所有的所述第二焊盤具有相同的時鐘反應，所述半導體器件的中心位置形成有所述半導體器件的主要電路。

2.如權利要求1所述的重新布線結構的制造方法，其特征在于，所述重布線金屬層中的每條互連線所連接的所述第二焊盤的數量大于等于2。

3.如權利要求1所述的重新布線結構的制造方法，其特征在于，形成所述第一介電質層的步驟包括：首先，沉積所述第一介電質層于所述襯底上，且沉積的所述第一介電質層將所述第一焊盤完全掩埋在內；然后，通過化學機械研磨將所述第一介電質層的頂表面平坦化；最后，刻蝕所述第一介電質層位于所述第一焊盤上的部分，以將所述第一焊盤的部分或全部的頂表面暴露出來。

4.如權利要求1或2所述的重新布線結構的制造方法，其特征在于，形成所述重布線金屬層的步驟包括：首先，形成一金屬層于所述第一焊盤和所述第一介電質層上，所述金屬層將所述第一介電質層和所述第一焊盤完全掩埋在內；然后，通過光刻和刻蝕將所述金屬層圖形化，以形成所述重布線金屬層。

5.如權利要求1所述的重新布線結構的制造方法，其特征在于，形成所述第二介電質層的步驟包括：首先，沉積第二介電質層于所述重布線金屬層和所述第一介電質層上；然后，刻蝕所述第二介電質層位于所述重布線金屬層的不同位置上的部分，以形成分別暴露出所述重布線金屬層不同位置的頂表面的多個開口。

6.一種重新布線結構，其特征在于，包括：

第一介電質層，位于一具有第一焊盤的襯底上，所述第一介電質層暴露出所述第一焊盤的部分或全部的頂表面；

重布線金屬層，位于所述第一焊盤的頂表面上，所述重布線金屬層還延伸至所述第一介電質層的部分頂表面上；以及，

第二介電質層，位于所述重布線金屬層和所述第一介電質層上，所述第二介電質層具有分別暴露出所述重布線金屬層不同位置的頂表面的多個開口，每個開口底部暴露出的所述重布線金屬層作為一個第二焊盤，所述重布線金屬層與所述第一焊盤電接觸，以使得所述第二焊盤與所述第一焊盤電連接；并且，與每個所述第一焊盤電連接的多個所述第二焊盤中，至少一個所述第二焊盤位于半導體器件的外圍，且位于所述半導體器件的外圍的所有的所述第二焊盤與所述半導體器件的中心之間的距離相等，每個位于靠近所述半導體器件的中心位置的所述第二焊盤通過所述重布線金屬層中的互連線與位于所述半導體器件的外圍的相應的所述第二焊盤連接，以使得所有的所述第二焊盤具有相同的時鐘反應，所述半導體器件的中心位置形成有所述半導體器件的主要電路。

7.如權利要求6所述的重新布線結構，其特征在于，所述重布線金屬層中的每條互連線所連接的所述第二焊盤的數量大于等于2。

8.如權利要求6或7中所述的重新布線結構，其特征在于，所述重布線金屬層的材質包括鋁、金、銀、鎳、鈦中的任一種或多種；所述第一介電質層和所述第二介電質層的材質包括二氧化硅、氮化硅、正硅酸乙酯、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃中的任一種或多種。