[發(fā)明專利]一種雙光纖結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811115529.2
• 申請(qǐng)日: 2018-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN109106465A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王璐璐;鐘成;魯藝;潘蘇婉;曹燚;王立平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): A61D1/00
• 分類號(hào): A61D1/00;A61D7/00;G02B6/46
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本發(fā)明涉及醫(yī)療實(shí)驗(yàn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙光纖結(jié)構(gòu)及其制備方法，光纖結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)單光纖結(jié)構(gòu)，單光纖結(jié)構(gòu)包括光纖頭和光纖，所述光纖頭的下端面開設(shè)有安裝孔，所述光纖的一端固定于所述安裝孔中；兩個(gè)所述單光纖結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置，且兩個(gè)所述光纖頭的下部通過粘膠粘接，且由所述光纖頭的上端至所述光纖的下端方向，兩個(gè)所述單光纖結(jié)構(gòu)之間的間距逐漸減小。本發(fā)明將兩個(gè)單光纖結(jié)構(gòu)集成為一體，使得兩根光纖下端之間的間距能夠與同一實(shí)驗(yàn)動(dòng)物的兩個(gè)腦區(qū)之間的間距相一致，從而能夠?qū)筛饫w同時(shí)植入同一實(shí)驗(yàn)動(dòng)物的兩個(gè)腦區(qū)，打破了實(shí)驗(yàn)操作的局限性，降低了實(shí)驗(yàn)操作的困難度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及醫(yī)療實(shí)驗(yàn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙光纖結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

目前全球范圍內(nèi)癲癇、精神分裂癥、抑郁癥、藥物成癮、老年癡呆癥等神經(jīng)精神疾病的治療負(fù)擔(dān)占全部疾病的13％左右，超過了心血管疾病和癌癥。神經(jīng)精神疾病發(fā)病率的不斷增高，給患者和社會(huì)造成了沉重的負(fù)擔(dān)，因此對(duì)于神經(jīng)精神疾病的環(huán)路機(jī)制研究顯得尤為重要。

光遺傳技術(shù)是目前研究大腦環(huán)路機(jī)制的一個(gè)非常重要的技術(shù)。其主要原理是采用基因技術(shù)將光感基因(例如興奮性的ChR2或者抑制性的NpHR等)表達(dá)在特定類型的神經(jīng)細(xì)胞中，使其在細(xì)胞膜上形成光敏感離子通道。這些離子通道在特定波長的光照刺激下會(huì)分別對(duì)陽離子或者陰離子的通過產(chǎn)生選擇性，從而造成細(xì)胞膜兩邊的膜電位發(fā)生變化，達(dá)到對(duì)細(xì)胞選擇性地興奮或者抑制的目的。即，利用光感基因病毒載體表達(dá)可以實(shí)現(xiàn)細(xì)胞選擇性調(diào)控，通過光刺激可以實(shí)現(xiàn)外界信息的寫入，借助載體光電極陣列技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)特定行為下的電生理信息讀取，進(jìn)而精確解析某一特定神經(jīng)環(huán)路的功能特征以及與行為輸出之間的聯(lián)系。

在光遺傳學(xué)中，一般通過在實(shí)驗(yàn)動(dòng)物(例如小鼠)腦內(nèi)植入石英光纖來實(shí)現(xiàn)對(duì)特定類型的神經(jīng)細(xì)胞給予光刺激。然而現(xiàn)在用到的成品光纖一般都是單光纖結(jié)構(gòu)，一次只能植入一根光纖，如果想在實(shí)驗(yàn)中在一只小鼠的非?？拷膬蓚€(gè)腦區(qū)同時(shí)植入兩根光纖則不能實(shí)現(xiàn)，這就大大增加了實(shí)驗(yàn)研究的局限性和困難度。

因此，亟需一種雙光纖結(jié)構(gòu)及其制備方法以解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種雙光纖結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的不能在同一實(shí)驗(yàn)動(dòng)物的鄰近的兩個(gè)腦區(qū)同時(shí)植入兩根光纖的問題。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種雙光纖結(jié)構(gòu)，兩個(gè)單光纖結(jié)構(gòu)，所述單光纖結(jié)構(gòu)包括光纖頭和光纖，所述光纖頭的下端面開設(shè)有安裝孔，所述光纖的一端固定于所述安裝孔中；兩個(gè)所述單光纖結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置，且兩個(gè)所述光纖頭的下部通過粘膠粘接，且由所述光纖頭的上端至所述光纖的下端方向，兩個(gè)所述單光纖結(jié)構(gòu)之間的間距逐漸減小。

作為雙光纖結(jié)構(gòu)的優(yōu)選技術(shù)方案，兩個(gè)所述光纖頭上端之間的間距為5mm-10mm。

作為雙光纖結(jié)構(gòu)的優(yōu)選技術(shù)方案，兩個(gè)所述光纖下端之間的間距小于3mm。

作為雙光纖結(jié)構(gòu)的優(yōu)選技術(shù)方案，所述光纖的長度為2mm-4mm。

作為雙光纖結(jié)構(gòu)的優(yōu)選技術(shù)方案，所述光纖的長度為3mm。

作為雙光纖結(jié)構(gòu)的優(yōu)選技術(shù)方案，所述粘膠為環(huán)氧樹脂膠。

作為雙光纖結(jié)構(gòu)的優(yōu)選技術(shù)方案，所述光纖頭為陶瓷頭，所述光纖為石英光纖。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種上述雙腦區(qū)的光纖結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

S1、取兩段光纖，并將光纖的外皮剝掉；

S2、將兩段剝掉外皮的光纖的一端分別插入兩個(gè)光纖頭的安裝孔中，制得兩個(gè)單光纖結(jié)構(gòu)；