[發明專利]一種量子點白光二極管有效
| 申請號: | 201811115321.0 | 申請日: | 2018-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN110943174B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 蘇亮;謝相偉 | 申請(專利權)人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 白光 二極管 | ||
1.一種量子點白光二極管,包括陰極、陽極以及設置在所述陰極和陽極之間的發光層,其特征在于,所述發光層包括層疊設置的藍光有機熒光層、間隔層以及量子點發光層,所述藍光有機熒光層靠近陰極一側設置,所述量子點發光層靠近陽極一側設置,所述間隔層設置在所述藍光有機熒光層和所述量子點發光層之間,所述間隔層材料的三線態激子能量大于藍光有機熒光層中藍光有機熒光材料的三線態激子能量,且所述間隔層材料的三線態激子能量大于量子點發光層中量子點的激子能量;
所述間隔層材料為由第一n型半導體材料和第一p型半導體材料組成的混合材料,
或者,所述間隔層材料為同時具有電子和空穴遷移能力的第一雙極性分子。
2.根據權利要求1所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述間隔層的厚度為3-10nm。
3.根據權利要求1所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述第一雙極性分子為CBP和NPB中的一種或兩種;
或者,所述第一n型半導體材料為TPBi、Bepp2、BTPS和TmPyPb中的一種或多種;
或者,所述第一p型半導體材料為TAPC、mCP和TCTA中的一種或多種。
4.根據權利要求1-3任一項所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述藍光有機熒光層材料為藍光有機熒光材料。
5.根據權利要求4所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述藍光有機熒光層的厚度為5-30nm;和/或所述藍光有機熒光材料為4P-NPD、Cz-2pbb、POTA和DADBT中的一種或多種。
6.根據權利要求1-3任一項所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述藍光有機熒光層材料包括第一主體材料以及摻雜在所述第一主體材料中的藍光有機熒光材料,所述第一主體材料的單線態激子能量大于所述藍光有機熒光材料的單線態激子能量,且所述第一主體材料的三線態激子能量大于所述藍光有機熒光材料的三線態激子能量。
7.根據權利要求6所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述藍光有機熒光層的厚度為10-50nm;和/或所述藍光有機熒光材料為4P-NPD、Cz-2pbb、POTA和DADBT中的一種或多種。
8.根據權利要求6所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述量子點發光層材料包括量子點和第二主體材料,其中,所述第二主體材料的單線態激子能量和三線態激子能量均大于所述量子點的激子能量。
9.根據權利要求8所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述第一主體材料選自第二雙極性材料、第二n型半導體材料以及由第二n型半導體材料和第二p型半導體材料組成的混合材料中的一種,所述第二主體材料選自第三雙極性材料、第三p型半導體材料以及由第三n型半導體材料和第三p型半導體材料組成的混合材料中的一種。
10.根據權利要求9所述的量子點白光二極管,其特征在于,所述第一主體材料為第二n型半導體材料,所述第二主體材料為第三p型半導體材料;
或者,所述第一主體材料為由第二n型半導體材料和第二p型半導體材料組成的混合材料,所述第二主體材料為第三p型半導體材料;
或者,所述第一主體材料為第二n型半導體材料,所述第二主體材料為由第三n型半導體材料和第三p型半導體材料組成的混合材料;
或者,所述第一主體材料為第二雙極性分子,所述第二主體材料為第三雙極性分子;
或者,所述第一主體材料為由第二n型半導體材料和第二p型半導體材料組成的混合材料;所述第二主體材料為由第三n型半導體材料和第三p型半導體材料組成的混合材料。
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