[發明專利]一種量子點白光二極管

有效

• 申請號: 201811115308.5
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN110943172B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 蘇亮;謝相偉
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點白光二極管，包括陰極、陽極以及設置在所述陰極和陽極之間的發光層，其特征在于，所述發光層包括層疊設置的藍光有機熒光層和量子點發光層，所述藍光有機熒光層材料包括由第一p型半導體材料和第一n型半導體材料混合形成的第一主體材料以及摻雜在所述第一主體材料中的藍光有機熒光材料，所述第一主體材料的單線態激子能量大于所述藍光有機熒光材料的單線態激子能量，且所述第一主體材料的三線態激子能量大于所述藍光有機熒光材料的三線態激子能量。

2.根據權利要求1所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述藍光有機熒光材料的摻雜濃度為0.5-3％。

3.根據權利要求1所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述藍光有機熒光層的厚度為10-40nm。

4.根據權利要求1所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述第一p型半導體材料為TAPC、mCP和TCTA中的一種或多種；

和/或所述第一n型半導體材料為TPBi、Bepp2、BTPS和TmPyPb中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述藍光有機熒光材料為4P-NPD、Cz-2pbb、POTA和DADBT中的一種或多種。

6.根據權利要求1至5任一項所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述陰極和發光層之間還設置有電子傳輸層，所述藍光有機熒光層靠近所述電子傳輸層一側設置，所述電子傳輸層的材料與所述藍光有機熒光層材料中的第一n型半導體材料中的至少一種相同。

7.根據權利要求1至5任一項所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述陽極和發光層之間還設置有空穴傳輸層，所述藍光有機熒光層靠近所述空穴傳輸層一側設置，所述空穴傳輸層的材料與所述藍光有機熒光層材料中的第一p型半導體材料中的至少一種相同。

8.根據權利要求1至5任一項所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述量子點發光層材料為量子點。

9.根據權利要求1至5任一項所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述量子點發光層材料包括量子點和第二主體材料，所述第二主體材料的單線態激子能量和三線態激子能量均大于所述量子點的激子能量。

10.根據權利要求9所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述藍光有機熒光層靠近陽極一側設置，所述量子點層靠近陰極一側設置，所述第二主體材料選自雙極性分子、第二n型半導體材料、第二p型半導體材料以及由第二n型半導體材料和第二p型半導體材料組成的混合材料中的一種。

11.根據權利要求10所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述第二主體材料為由第二n型半導體材料和第二p型半導體材料組成的混合材料。

12.根據權利要求10所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述第二主體材料為雙極性分子。

13.根據權利要求9所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述藍光有機熒光層靠近陰極一側設置，所述量子點發光層靠近陽極一側設置，所述第二主體材料選自雙極性分子、第二n型半導體材料、第二p型半導體材料以及由第二n型半導體材料和第二p型半導體材料組成的混合材料中的一種。

14.根據權利要求13所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述第二主體材料為由第二n型半導體材料和第二p型半導體材料組成的混合材料。

15.根據權利要求13所述的量子點白光二極管，其特征在于，所述第二主體材料為雙極性分子。