[發明專利]提高反極性GaAs基AlGaInP紅光LED芯片焊線性能的管芯制作方法有效
| 申請號: | 201811115077.8 | 申請日: | 2018-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN110943147B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 徐曉強;張兆喜;吳向龍;閆寶華;王成新 | 申請(專利權)人: | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 261061 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 極性 gaas algainp 紅光 led 芯片 線性 管芯 制作方法 | ||
一種提高反極性GaAs基AlGaInP紅光LED芯片焊線性能的管芯制作方法,由于主電極中金屬Ni層和金屬Au層使主電極底層與N型AlGaInP層具有較好的粘附,通過在阻擋層中設置若干通孔組成孔型圖案能夠有效阻擋金屬Ni層的過度擴散,使主電極底層可以與N型AlGaInP層之間形成良好的接觸,能夠完全解決焊線時焊盤容易脫落的問題。工藝方法簡單易操作,不需要引入特殊設備,利用較低的成本,解決了焊線難問題,該工藝方法適用于所有GaAs基紅光LED芯片的制作工藝。
技術領域
本發明涉及半導體加工技術領域,具體涉及一種提高反極性GaAs基AlGaInP紅光LED芯片焊線性能的管芯制作方法。
背景技術
發光二極管簡稱為LED(Light Emitting Diode),是一種將電能轉換為光能的的固體電致發光(EL)半導體器件。LED實質性核心結構是由元素譜中的III-IV族或III-V族化合物材料構成的P-N節。LED光輻射光譜分布有其獨特的一面。它不是單色光(如激光),也不是寬光譜輻射(如白熾燈),而是介于兩者之間,有幾十納米的帶寬、峰值波長位于可見光或近紅外區域。LED與普通光源相比具有如下優點:1、高效率:發光效率高,等同功率的LED燈和白熾燈,LED等照明效果好很多;2、壽命長:LED燈最長壽命可達到10萬小時,且其半衰周期可達到5萬小時以上;3、低耗電:比同光效的白熾燈可節省70%以上的電量;4、低故障:LED作為半導體元件,沒有真空器件和高壓觸發電路等敏感部件,故障率極低;5、綠色、環保:單色性好,LED光譜集中,沒有多于紅外、紫外燈光譜,熱量、輻射很少,對被照物產生影響少,不含有汞等有害物質,廢棄物可以回收,沒有污染;6、方向性強:平面發光,方向性強;7、快響應:響應時間短,只有幾十納秒,啟動非常迅速;8、多色彩:LED色彩,不同的半導體材料,不同顏色的光,顏色飽和度能夠達到130%全彩色不同光色的組合變化多端,利用時序控制電路,更能達到豐富多彩的的動態變化效果。LED按照工作功率劃分可以分為小功率(<0.06W)、中功率(小于1W)和大功率(>1W),而我們使用的GaAs基反極性AlGaInP紅光LED芯片就是這種大功率半導體器件。
高亮度大功率型AlGaInP紅光LED是近年來廣泛發展的一種常見可見光LED,AlGaInP四元紅光LED具有電流承受能力強、發光效率高以及耐高溫等諸多優點,在照明、顯示、指示燈中的應用具有不可替代的地位,廣泛應用于照明的各個領域。AlGaInP四元紅光LED傳統工藝,外延結構包括臨時襯底層、緩沖層、阻擋層、N型砷化鎵歐姆接觸層、量子阱層、P型AlGaInP限制層、P型GaAs層,使用Si片作為置換和固定襯底,P型電極生長在裸露的AlGaInP層上,P型電極材料一般為Cr、Ni、Ge作為接觸層,Ti、Pt作為過渡層,Al、Au最為主電極層進行電極結構的制作。為了增強金屬與AlGaInP界面的粘附性(電極可焊性)常通過對AlGaInP進行酸洗腐蝕新界面、金屬合金等工藝,但是仍然存在一定的焊線不良率。
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