[發明專利]靶材組件形成方法在審
| 申請號： | 201811114487.0 | 申請日： | 2018-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN110937911A | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;潘杰;王學澤;羅明浩;占衛君 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B37/02 | 分類號： | C04B37/02;B23K35/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 組件 形成 方法 | ||
1.一種靶材組件形成方法，其特征在于，包括：
提供陶瓷靶材，所述陶瓷靶材具有靶材焊接面；
提供金屬背板，所述金屬背板具有背板焊接面；
將所述靶材焊接面鍍鎳，形成鎳鍍層；
在所述鎳鍍層表面和所述背板焊接面上放置釬料，對所述陶瓷靶材以及所述金屬背板進行焊接，形成靶材組件。
2.如權利要求1所述的靶材組件形成方法，其特征在于，形成所述鎳鍍層的方法為物理氣相沉積工藝。
3.如權利要求1所述的靶材組件形成方法，其特征在于，所述鎳鍍層的厚度大于或等于5微米。
4.如權利要求1所述的靶材組件形成方法，其特征在于，所述釬料的材料包括銦元素、鉍元素及鎵元素。
5.如權利要求4所述的靶材組件形成方法，其特征在于，所述釬料中，銦的質量分數為94.9％～97.9％，鎵的質量分數為0.1％～1.5％，鉍的質量分數為2％～5％。
6.如權利要求5所述的靶材組件形成方法，其特征在于，所述釬料中，銦的質量分數為96％，鎵的質量分數為1％，鉍的質量分數為3％。
7.如權利要求1所述的靶材組件形成方法，其特征在于，形成所述靶材組件的步驟中，焊接溫度為200℃～300℃。
8.如權利要求1所述的靶材組件形成方法，其特征在于，在所述鎳鍍層表面和所述背板焊接面上放置釬料后，對所述鎳鍍層表面與所述背板焊接面進行浸潤處理。
9.如權利要求1所述的靶材組件形成方法，其特征在于，所述陶瓷靶材的材料為氧化鋁或氧化硅。
10.如權利要求1所述的靶材組件形成方法，其特征在于，所述金屬背板的材料為鈦、銅或鋁。
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