[發(fā)明專利]形成導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)至半導(dǎo)體裝置的方法及所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811113696.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN109659274B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝瑞龍;拉爾斯·W·賴柏曼;丹尼爾·恰尼莫蓋姆;樸燦柔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包含：

形成第一下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及第二下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

在該第一下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之上形成包含第一材料的一層絕緣材料；

在該層絕緣材料中形成接觸蝕刻結(jié)構(gòu)，其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)包含與該第一材料不同的第二材料，且其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的至少一部分橫向位在該第一下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一部分與該第二下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一部分之間；

形成鄰近該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的第一側(cè)的第一導(dǎo)電線路及第一導(dǎo)電接觸，其中，該第一導(dǎo)電接觸導(dǎo)電地耦合至該第一下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及

形成鄰近該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的第二側(cè)的第二導(dǎo)電線路及第二導(dǎo)電接觸，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的該第二側(cè)與該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)相反，其中，該第二導(dǎo)電接觸導(dǎo)電地耦合至該第二下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且其中，該第一導(dǎo)電線路與該第二導(dǎo)電線路之間的間隔大約等于該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一導(dǎo)電線路的至少一部分位在該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)上且與該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)接觸，以及該第二導(dǎo)電線路的至少一部分位在該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的該第二側(cè)上且與該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的該第二側(cè)接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)具有大于該層絕緣材料的厚度的垂直高度。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一導(dǎo)電線路的一邊與該第二導(dǎo)電線路的一邊各自自對(duì)準(zhǔn)于該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成該第一導(dǎo)電線路、該第二導(dǎo)電線路及該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)，使得該第一導(dǎo)電線路的上表面、該第二導(dǎo)電線路的上表面及該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的上表面全都大約位于在半導(dǎo)體襯底之上的相同第一層級(jí)。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，該層絕緣材料具有位在該第一層級(jí)的上表面。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的一部分延伸進(jìn)入形成于半導(dǎo)體襯底中的溝槽。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)位在該第一下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的整體與該第二下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的整體之間。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)為通過集成電路產(chǎn)品的第一柵極來形成的單一擴(kuò)散阻斷(SDB)結(jié)構(gòu)，該第一導(dǎo)電接觸為導(dǎo)電地耦合至鄰近該SDB結(jié)構(gòu)的第一側(cè)的第一源極/漏極區(qū)的第一源極/漏極接觸，以及該第二導(dǎo)電接觸為導(dǎo)電地耦合至鄰近該SDB結(jié)構(gòu)的第二側(cè)的第二源極/漏極區(qū)的第二源極/漏極接觸。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該第一源極/漏極區(qū)用于第一晶體管且該第二源極/漏極區(qū)用于與該第一晶體管不同的第二晶體管。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的一部分位在該第一下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的各者的表面上且與該表面接觸。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)的底面位于在該第一下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的第二層絕緣材料上且與該第二層絕緣材料接觸。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該接觸蝕刻結(jié)構(gòu)為柵極接觸蝕刻椿，該第一導(dǎo)電接觸為導(dǎo)電地耦合至第一柵極的柵極結(jié)構(gòu)的第一下柵極接觸結(jié)構(gòu)的第一柵極接觸，以及該第二導(dǎo)電接觸為導(dǎo)電地耦合至第二柵極的柵極結(jié)構(gòu)的第二下柵極接觸結(jié)構(gòu)的第二柵極接觸。