[發明專利]半導體器件、射頻芯片和制造方法

有效

• 申請號: 201811112070.0
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109285815B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 于濤;陳高鵬;陳威;劉海玲
• 申請（專利權）人: 宜確半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/538
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李浩;王莉莉

本公開提供了一種半導體器件、射頻芯片和制造方法，涉及半導體技術領域。該半導體器件包括具有第一聲波器件的第一襯底。在第一襯底上設置有間隔開的第一連接件和第二連接件。該第一連接件和該第二連接件分別與第一聲波器件電連接。該半導體器件還包括具有第二聲波器件的第二襯底。在第二襯底上設置有間隔開的第三連接件和第四連接件。該第三連接件與該第一連接件對接，該第四連接件與該第二連接件對接。該半導體器件還包括在第一襯底與第二襯底之間的環狀件。該環狀件、第一襯底和第二襯底形成有腔體。該腔體位于第一聲波器件和第二聲波器件之間。本公開可以減小器件的面積。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，特別涉及一種半導體器件、射頻芯片和制造方法。

背景技術

隨著無線移動通信系統所支持的模式及頻段的不斷增加，當前無線通信移動終端的射頻前端架構也變得越來越復雜。圖1是示意性地示出相關技術中的無線通信移動終端的射頻前端架構圖。該圖1示出了一個支持2G、3G、4G多模式以及各個模式中多個頻段的無線通信移動終端的射頻前端架構。如圖1所示，該射頻前端架構包括主天線101、天線匹配調諧芯片102、單刀多擲射頻天線開關芯片103、雙工器芯片104、3G/4G單頻功率放大器芯片105、3G/4G多模多頻功率放大器芯片106、2G功率放大器芯片107、射頻收發信機芯片108、接收通路開關芯片109、濾波器芯片110、分集射頻天線開關芯片111、分集天線112

該移動終端的射頻收發信機芯片108負責將基帶芯片產生的射頻信號發送到對應的功率放大器芯片以及對接收到的射頻信號進行處理。3G/4G單頻功率放大器芯片105、3G/4G多模多頻功率放大器芯片106和2G功率放大器芯片107都對從射頻收發信機芯片108所發送來的射頻信號進行功率放大。對于一系列雙工器芯片104，每一個FDD(FrequencyDivision Duplexing，頻分雙工)模式的頻段都需要一個對應的雙工器芯片來進行發射和接收信號的分離。集成了低通濾波器的單刀多擲射頻天線開關芯片103用于將多個射頻功率放大器的輸出信號以及多路從天線接收到的射頻信號進行分路分離，以使得多個射頻發射通路及多個射頻接收通路可以共享同一個主天線101。單刀多擲射頻天線開關芯片103中通常都集成兩個低通濾波器，分別用于濾除2G高頻段(1710-1910MHz)射頻功率放大器的諧波及2G低頻段(820-920MHz)射頻功率放大器的諧波。天線匹配調諧芯片102連接在主天線101與多模多頻射頻天線開關芯片103之間。該天線匹配調諧芯片102用于對天線阻抗匹配進行實時調節以保證良好的天線阻抗匹配。分集射頻天線開關芯片111用于對從分集天線112上接收到的射頻信號進行分路分離。一系列濾波器芯片110用于對分集射頻天線開關芯片111輸出的各路射頻信號進行濾波，其輸出信號又通過接收通路開關芯片109發送到射頻收發信機芯片108的相應接收端口。

由圖1可以看出，隨著多模多頻射頻前端模塊需求的增長，雙工器及濾波器將成為主要的器件。濾波器部分主要采用分立電感、電容器件來實現，或者采用IPD(IntegratedProduct Development，集成產品開發)工藝實現。雙工器則主要采用聲表面波(SurfaceAcoustic Wave，簡稱為SAW)器件、體聲波(Bulk Acoustic Wave，簡稱為BAW)器件、薄膜體聲波器件等聲波器件實現。聲表面波是聲波在物體表面有限深度內進行傳播，沿固體與空氣界面傳播。聲表面波是一種能量集中在介質表面傳播的彈性波。體聲波及薄膜體聲波利用的是體聲波信號在不同介質傳播時，在兩電極與空氣的交界地方發生反射，體聲波及薄膜體聲波與基底表面形成一個空氣腔體，將聲波限制在壓電振蕩腔內。由此可見，對于聲表面波、體聲波及薄膜體聲波，都需要在與基底的交界面處，形成一個密閉的腔體，用于限制聲波的傳播路徑。利用聲波器件制作的濾波器及雙工器具有插入損耗小，帶外抑制好等優點，被廣泛應用于無線通信領域。封裝的方式主要分為:金屬封裝、塑料封裝和表貼封裝。它們最少有兩部分組成，即封裝的基底和上蓋。在基底上涂上少量的黏合劑，然后把芯片貼在上面。經過固化處理，將芯片牢固的貼在基底上。