[發明專利]具有采用改善引線設計的引線框架的封裝體及其制造

有效

• 申請號: 201811110608.4
• 申請日: 2018-09-21
• 公開（公告）號: CN109545768B
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: R·羅德里奎茲;B·C·巴奎安;M·G·馬明;D·加尼
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司;意法半導體公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種半導體封裝體，包括：

引線框架，具有第一側和第二側，所述引線框架包括：

刻印引線，具有在所述引線框架的所述第一側的第一刻印區域，所述第一刻印區域包括：第一凹部，所述第一凹部朝向所述刻印引線的第二側延伸進入所述刻印引線的第一側，所述第一凹部具有位于所述刻印引線內的第一端；第一高區域，被所述第一凹部圍繞，所述第一高區域的表面與所述第一凹部的第一端具有間隔；

裸片焊盤，具有在所述第一側的第二刻印區域，所述第二刻印區域包括：第二凹部，所述第二凹部朝向所述裸片焊盤的第二側延伸進入所述裸片焊盤的第一側，第二凹部具有位于所述裸片焊盤內的第二端；第二高區域，被所述第二凹部圍繞，所述第二高區域的表面與所述第二凹部的第二端具有間隔；

分立電子組件，具有電耦合并物理耦合到所述第一高區域的第一端和電耦合并物理耦合到所述第二高區域的第二端；

裸片，電耦合并物理耦合到所述裸片焊盤的第一端，所述裸片與所述分立電子組件具有間隔；和

模制化合物，包封所述引線框架、所述裸片和所述分立電子組件。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中導電粘合劑將所述分立電子組件耦合到所述第一刻印區域和所述第二刻印區域。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝體，其中所述導電粘合劑將所述分立電子組件的第一端耦合到所述刻印引線的第一高區域。

4.根據權利要求2所述的半導體封裝體，其中所述第一凹部被配置為容納將所述分立電子組件耦合到所述第一刻印區域的導電粘合劑的溢出。

5.根據權利要求2所述的半導體封裝體，其中所述導電粘合劑將所述分立電子組件的第二端耦合到所述裸片焊盤的第二高區域。

6.根據權利要求2所述的半導體封裝體，其中所述第二凹部被配置為容納將所述分立電子組件耦合到所述第二刻印區域的導電粘合劑的溢出。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中粘合劑將所述裸片耦合到所述裸片焊盤，并且所述裸片與所述裸片焊盤的第二刻印區域相鄰。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中所述刻印引線和所述裸片焊盤具有在所述引線框架的第二側上的、被第一導電材料覆蓋的表面，所述第一導電材料是選擇性化學抗蝕的導電材料。

9.一種半導體封裝體，包括：

引線框架，具有第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二表面相對，所述引線框架包括：

多個刻印引線，每個刻印引線具有第一刻印區域和位于所述第一表面和所述第二表面之間的第一高度，所述第一刻印區域包括丘和槽，所述槽與所述丘相鄰并且圍繞所述丘，所述槽朝向所述第二表面延伸進入所述第一表面第二高度，所述第二高度小于所述第一高度；

裸片焊盤，具有第二刻印區域和所述第一高度，所述第二刻印區域包括丘和槽，所述槽與所述丘相鄰并且圍繞所述丘，所述槽朝向所述引線框架的第二表面延伸進入所述引線框架的第一表面第三高度，所述第三高度小于所述第一高度；

第一分立電子組件，電耦合并物理耦合到所述多個刻印引線的第一丘和第二丘之間；

第二分立電子組件，電耦合并物理耦合到所述多個刻印引線的第三丘和所述裸片焊盤的所述第二刻印區域的第四丘之間；

裸片，電耦合并物理耦合到所述裸片焊盤的第一表面，所述裸片與所述第一分立電子組件和所述第二分立電子組件具有間隔；和

模制化合物，包封所述引線框架、所述第一分立電子組件、所述第二分立電子組件和所述裸片。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝體，還包括：

多個引線；

第一電連接件，電耦合并物理耦合在所述多個刻印引線中的至少一個刻印引線與所述裸片之間；和

第二電連接件，電耦合并物理耦合在所述多個引線中的一個引線與所述裸片之間，所述第一電連接件和所述第二電連接件是導線。