[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶圓處理設(shè)備及其頂針裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811110018.1 | 申請日: | 2018-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN110943027A | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊正杰;呂翼君 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67;G01V3/00 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 處理 設(shè)備 及其 頂針 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,包括:
頂針通道;
頂針,位于所述頂針通道內(nèi),所述頂針的外周表面包括位于所述頂針頂端的第一環(huán)形區(qū)域和與所述第一環(huán)形區(qū)域相鄰的第二環(huán)形區(qū)域,其中,所述第一環(huán)形區(qū)域和所述第二環(huán)形區(qū)域的導(dǎo)電性相反;
導(dǎo)電件,位于所述頂針通道內(nèi)側(cè)壁并抵接于所述頂針的外周表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述第一環(huán)形區(qū)域?yàn)榻^緣區(qū),所述第二環(huán)形區(qū)域?yàn)閷?dǎo)電區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述第一環(huán)形區(qū)域?yàn)閷?dǎo)電區(qū),所述第二環(huán)形區(qū)域?yàn)榻^緣區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,還包括檢測單元,所述檢測單元電連接所述導(dǎo)電區(qū)和所述導(dǎo)電件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述檢測單元包括電源、電阻和電壓傳感器;
所述電源與所述導(dǎo)電件相連,用于在所述導(dǎo)電件上施加電壓;
所述電阻與所述導(dǎo)電件或與所述頂針的導(dǎo)電區(qū)串聯(lián);
所述電壓傳感器并聯(lián)于所述電阻兩端,用于檢測所述電阻兩端的電壓,或
所述電壓傳感器并聯(lián)于所述導(dǎo)電區(qū)與所述導(dǎo)電件兩端,用于檢測所述導(dǎo)電區(qū)與所述導(dǎo)電件之間的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述檢測單元包括電源、電阻和電流傳感器;
所述電源與所述導(dǎo)電件相連,用于在所述導(dǎo)電件上施加電壓;
所述電阻與所述導(dǎo)電件或與所述頂針的導(dǎo)電區(qū)串聯(lián);
所述電流傳感器與所述電阻串聯(lián),用于檢測通過所述電阻的電流大小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述導(dǎo)電件為滾輪環(huán),所述滾輪環(huán)安裝于所述頂針通道的內(nèi)側(cè)壁中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述頂針的橫截面為圓形、方形、或者具有與所述滾輪環(huán)突出于所述頂針通道內(nèi)壁部分對應(yīng)的凹陷。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述頂針由金屬制成,所述頂針上的絕緣區(qū)為鍍在所述頂針上的絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述絕緣層為二氧化硅或氮化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,所述頂針包括三個(gè)以上非直線排列的頂針,以及與各個(gè)所述頂針對應(yīng)的所述頂針通道。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置,其特征在于,還包括用于固定所述頂針裝置的基座。
13.一種半導(dǎo)體晶圓處理設(shè)備,其特征在于,包括:
反應(yīng)腔體;
位于所述反應(yīng)腔體的如權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的頂針裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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